【技术实现步骤摘要】
用于减轻读取干扰的非易失性存储装置以及使用其的系统相关申请的交叉引用本申请要求2019年6月21日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0074175的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
各个实施例总体上涉及一种存储装置，并且更具体地，涉及一种用于减轻读取干扰的非易失性存储装置以及使用其的系统。
技术介绍
电子设备可以包括许多电子组件。在电子组件之中，计算机系统例如可以包括由半导体组成的大量电子组件。计算机系统可以包括存储装置。因为DRAM(动态随机存取存储器)可以以高且恒定的速度储存和输出数据并执行随机访问，所以DRAM被广泛用作常规的存储装置。但是，因为DRAM包括每个均由电容器组成的存储单元，所以DRAM具有易失性特性，即在去除电源时会丢失储存在其中的数据。为了去除DRAM的这种缺点，已经开发了快闪存储装置。快闪存储装置可以包括每个均由浮栅组成的存储单元，并且因此具有非易失性特性，即尽管去除了电源，仍能保留储存在其中的数据。但是，快闪存储装置以比DRAM低的速度来储存和输出数...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储装置，包括：/n存储单元，其耦接在全局位线与全局字线之间；/n位线控制电路，其被配置为基于读取信号和第一控制信号而向所述全局位线提供第一高电压和第二高电压中的一个或更多个；/n字线控制电路，其被配置为基于所述读取信号和第二控制信号而向所述全局字线提供第一低电压和第二低电压中的一个或更多个，并且被配置为控制第一电流和第二电流中的一个或更多个流过所述全局字线；以及/n感测放大器，其被配置为感测所述存储单元的骤回并产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。/n
【技术特征摘要】
20190621 KR 10-2019-00741751.一种非易失性存储装置，包括：
存储单元，其耦接在全局位线与全局字线之间；
位线控制电路，其被配置为基于读取信号和第一控制信号而向所述全局位线提供第一高电压和第二高电压中的一个或更多个；
字线控制电路，其被配置为基于所述读取信号和第二控制信号而向所述全局字线提供第一低电压和第二低电压中的一个或更多个，并且被配置为控制第一电流和第二电流中的一个或更多个流过所述全局字线；以及
感测放大器，其被配置为感测所述存储单元的骤回并产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述位线控制电路基于所述读取信号而向所述全局位线提供所述第一高电压，并且基于所述第一控制信号而向所述全局位线提供具有比所述第一高电压高的电压电平的所述第二高电压。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述位线控制电路包括：
读取电压供电电路，其被配置为基于钳位信号和从所述读取信号产生的读取使能信号，通过降低第一读取供电电压的电压电平来产生所述第一高电压，并且向所述全局位线供应所述第一高电压；以及
旁路电路，其被配置为基于所述第一控制信号，从所述第一读取供电电压来产生所述第二高电压，并且向所述全局位线供应所述第二高电压。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述位线控制电路包括：
读取电压供电电路，其被配置为基于钳位信号和从所述读取信号产生的读取使能信号，通过降低第一读取供电电压的电压电平来产生所述第一高电压，并且向所述全局位线供应所述第一高电压；以及
退火电压供电电路，其被配置为基于所述第一控制信号，从具有比所述第一读取供电电压低的电压电平的退火高电压来产生所述第二高电压，并且向所述全局位线供应所述第二高电压。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述字线控制电路基于所述读取信号而向所述全局字线提供所述第一低电压，并且基于所述第二控制信号而向所述全局字线提供具有比所述第一低电压低的电压电平的所述第二低电压。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述字线控制电路基于所述读取信号来控制所述第一电流流过所述全局字线，并且基于所述第二控制信号来控制所述第二电流流过所述全局字线，其中所述第二电流大于所述第一电流。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述字线控制电路包括：
读取电流电路，其被配置为基于所述读取信号，向所述全局字线供应第二读取供电电压作为所述第一低电压，并控制所述第一电流流过所述全局字线；以及
退火电流电路，其被配置为基于所述第二控制信号，向所述全局字线供应具有比所述第二读取供电电压低的电压电平的退火低电压作为所述第二低电压，并控制所述第二电流流过所述全局字线。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第二电流包括能够将所述存储单元的电阻状态设置为低电阻状态的电流量。
9.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述读取电流电路包括：
预充电电路，其被配置为基于预充电信号，向所述全局字线供应所述第二读取供电电压；以及
第一电流镜，其包括用于供应所述第一电流的第一电流源，并且被配置为当从所述读取信号产生的读取脉冲信号被使能时，控制所述第一电流流过所述全局字线。
10.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述退火电流电路包括第二电流镜，所述第二电流镜包括用于供应所述第二电流的第二电流源，并且被配置为当所述第二控制信号被使能时，控制所述第二电流流过所述全局字线。
11.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，当所述全局字线的电压电平高于参考电压的电压电平时，所述感测放大器产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。
12.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述感测放大器在将所述第一控制信号禁止之前将所述第二控制信号禁止。
13.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述存储单元耦接在位线与字线之间，
其中，所述非易失性存储装置还包括：
列选择开关，其被配置为基于列选择信号，将所述全局位线耦接到所述位线；
电压电平转换器，其被配置为降低行选择信号的电压电平；以及
行选择开关，其被配置为基于所述电压电平转换器的输出，将所述全局字线耦接到所述字线。
14.一种非易失性存储装置的操作方法，所述方法包括：
选择位线以将存储单元耦接到全局位线，并且选择字线以将所述存储单元耦接到全局字线；
向所述全局位线施加第一高电压，并且向所述全局字线施加第一低电压，使得第一电流流过所述存储单元；
感测是否发生了所述存储单元的骤回；以及
当发生了所述存储单元的骤回时，向所述全局位线施加第二高电压并向所述全局字线施加第二低电压，使得第二电流流过所述存储单元。
15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，所述第二高电压具有比所述第一高电压高的电压电平。
16.根据权利要求14所述的操作方法，其中，所述第二低电压具有比所述第一低电压低的电压电平。
17.根据权利要求14所述的操作方法，其中，所述第二电流大于所述第一电流。
18.根据权利要求14所述的操作方法，其中，选择所述位线以将所述存储单元耦接到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴茂熙，姜奭准，千濬豪，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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