一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法技术

一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明专利技术涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。提供了一种制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明专利技术通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。本发明专利技术具有制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
本专利技术涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。
技术介绍
IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，是一种BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)复合结构的栅控电压驱动型功率半导体器件，具备高输入阻抗、高速开关特性、导通状态低损耗等特点。IGBT器件是现代通用的电力半导体器件，主要应用于新能源、机车牵引、智能电网、高压变频器等领域。常规的平面型IGBT器件基本结构如图1所示，包括N型衬底4，栅极1，发射极2，收集极3，P型井5，重掺杂的N型区6，改进安全工作区的重掺杂P型区7。在器件在导通状态下，电子电流和空穴电流的通道如图1中点画线箭头所示。其中电子电流从N+型区6出发，流经沟道（栅极1和P型井5相交的区域），注入N型衬底4，从收集极3流出。而空穴电流从收集极3出发，流经N型衬底4，P型井5，然后在重掺杂的N型区6下方，被发射极2吸收。从IGBT器件设计角度来看，单位面积下原本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底（4），栅极（1），发射极（2），收集极（3），P型井（5），重掺杂的N型区（6）和重掺杂的P型区（7），其特征在于，还包括常规栅氧层（82）和厚栅氧层（81）；/n所述厚栅氧层（81）设置在N型衬底（4）的顶面的中部位置，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；/n所述常规栅氧层（82）成形于所述厚栅氧层（81）的侧壁，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；/n所述厚栅氧层（81）的厚度大于常规栅氧层（82）的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底（4），栅极（1），发射极（2），收集极（3），P型井（5），重掺杂的N型区（6）和重掺杂的P型区（7），其特征在于，还包括常规栅氧层（82）和厚栅氧层（81）；
所述厚栅氧层（81）设置在N型衬底（4）的顶面的中部位置，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；
所述常规栅氧层（82）成形于所述厚栅氧层（81）的侧壁，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；
所述厚栅氧层（81）的厚度大于常规栅氧层（82）的厚度。


2.根据权利要求1所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述常规栅氧层（82）的厚度为1200A。


3.根据权利要求1所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述厚栅氧层（81）的厚度为不小于2000A。


4.一种平面型IGBT...

【专利技术属性】
技术研发人员：周倩，
申请(专利权)人：上海菱芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31