一种IGBT器件背面保护环结构制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道和漂移区，所述划片道内侧设有终端保护结构，终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区，漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端，第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端中间分别设有P型掺杂集电区和N型掺杂逆导短路区。本IGBT器件背面保护环结构，在不增加器件制作成本的前提下，将原来制作于IGBT器件正面的保护性器件结构，即保护环或终端，转移到器件的背面去实现，非常有效和综合地利用了半导体芯片的正反两面，能够在同等面积情况下，达到具有更大的器件导通电流，电特性表现上增强，扩大了发射区面积的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT器件背面保护环结构
本专利技术涉及电子器件
，具体为一种IGBT器件背面保护环结构。
技术介绍
IGBT是当前主流的半导体功率器件，在电力电子控制和绿色能源有效使用的领域，具有着重要的作用，同时具有非常广泛的应用市场。传统IGBT结构简单，其正面由于是对整个背面进行掺杂，所以并不需要光刻、也不需要背面结构与正面器件结构的相互套准，传统IGBT器件的背面只是采用P型集电区，电特性表现上差，发射区面积小，导电流能力低，针对这些缺陷，从而设计出一种IGBT器件背面保护环结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种IGBT器件背面保护环结构，具有更大的器件导通电流，电特性表现上增强，扩大了发射区面积的优点，解决了现有技术中的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道和漂移区，所述划片道内侧设有终端保护结构，终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区；所述漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端，第一P型掺杂保护终端和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道(1)和漂移区(8)，其特征在于，所述划片道(1)内侧设有终端保护结构(2)，终端保护结构(2)内部分别设有N型短路区(4)和P型集电区(3)；/n所述漂移区(8)顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端(5)和第二P型掺杂保护终端(9)，第一P型掺杂保护终端(5)和第二P型掺杂保护终端(9)中间分别设有P型掺杂集电区(6)和N型掺杂逆导短路区(7)，N型掺杂逆导短路区(7)位于P型掺杂集电区(6)右侧，且N型掺杂逆导短路区(7)和P型掺杂集电区(6)固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道(1)和漂移区(8)，其特征在于，所述划片道(1)内侧设有终端保护结构(2)，终端保护结构(2)内部分别设有N型短路区(4)和P型集电区(3)；
所述漂移区(8)顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端(5)和第二P型掺杂保护终端(9)，第一P型掺杂保护终端(5)和第二P型掺杂保护终端(9)中间分别设有P型掺杂集电区(6)和N型掺杂逆导短路区(7)，N型掺杂逆导短路区(7)位于P型掺杂集电区(6)右侧，且N型掺杂逆导短路区(7)和P型掺杂集电区(6)固定连接。


2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗景涛，严可为，
申请(专利权)人：西安众力为半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61