半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。所述半导体器件的终端结构包括：主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；其中，所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端，且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度；所述主结还包括至少一个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第一扩散区内；所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。本发明专利技术可以在提高器件击穿电压的同时保证器件终端结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管
本专利技术实施例涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
在半导体器件中，理想的器件击穿电压是指PN结为平行平面结的情况。但是半导体器件因受器件结构、材料和生产工艺的影响，实际形成的PN结的结面并不是真正的平面，在扩散区的边缘处冶金结面近似于圆柱面或球面。结面曲率效应致使器件表面电场大于体内电场，器件耐压由表面击穿决定，会导致击穿电压下降。此外，如果器件切割时穿过PN结，因晶格损伤引起的较大漏电流会严重影响器件的击穿电压和稳定性。因此，需要在边缘处引入合适的终端结构，即：在主结处附近引入电荷，产生附加电场来调节主结处的电场强度，降低主结附近的曲率效应和电场峰值，扩宽耗尽层宽度，优化电场分布，提高击穿电压。目前常用的终端技术主要包括场板、场限环、结终端扩展、横向变掺杂、磨角和沟槽等技术。但是，现有的终端结构均存在增加反向漏电流和结电容、对界面电荷敏感、提升耐压幅度有限或容易提前发生击穿等问题中的一种或几种。因此，现有的半导体器件的终端结构无法在提高器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：/n主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；/n漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；/n其中，所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端，且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度；/n所述主结还包括至少一个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第一扩散区内；所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：
主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；
漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；
其中，所述主结包括位于所述漂移层顶部的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区位于所述第二扩散区远离所述场限环的一端，且所述第一扩散区的深度小于所述第二扩散区的深度；
所述主结还包括至少一个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第一扩散区内；所述第一沟槽用于驱使所述主结内的部分电流路径为纵向流动。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述第一扩散区中对应设置有所述第一沟槽的深度为第一深度，所述第一扩散区中未对应设置有所述第一沟槽的深度为第二深度；所述第一深度大于所述第二深度，且所述第一沟槽的深度介于所述第一深度和所述第二深度之间。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述第一沟槽内填充半导体材料，并设置为浮空状态。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述主结还包括：至少一个第二沟槽；所述第二沟槽位于所述第二扩散区，且所述第二沟槽的深度介于所述第一沟槽的深度和所述第二沟槽的深度之间。


5.根据权利要求4所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述第二沟槽内填充半导体材料，并与正面电极连接。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘晓伟，张杰，胡舜涛，李豪，
申请(专利权)人：上海陆芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31