一种高压雪崩晶体管制造技术

本发明专利技术公开的一种高压雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极、第三外延层、SI‑GaAs衬底、第一外延层及第二外延层，第二外延层上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO

【技术实现步骤摘要】
一种高压雪崩晶体管
本专利技术属于电子器件
，具体涉及一种高压雪崩晶体管。
技术介绍
开关是功率脉冲
的关键器件，开关性能决定脉冲功率系统的成败。固态开关虽然功率容量小于气体开关，但结构紧凑，重复频率高，开关速度快，寿命长，稳定性高，因而逐渐成为主流脉冲功率开关。常用的固态脉冲功率开关主要有晶闸管、雪崩晶体管、GTO、IGCT、IGBT、MOSFET、光电导开关等，断路开关有IGBT、MOSFET以及专用于功率脉冲领域的SOS、RSD、DSRD。开关速度，耐压能力，和通流能力是功率脉冲开关的关键参数。雪崩晶体管最早报道于20世纪50年代末，并迅速得到了广泛的关注。雪崩晶体管可以方便的产生高幅值，低抖动，高重频和高稳定度的高压脉冲。目前应用较多的是NPN型雪崩晶体管。当基极电流小于零，基射结反偏时，集电极电流随集射极电压急剧变化的区域称为雪崩晶体管的雪崩区。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高压雪崩晶体管，解决了现有雪崩晶体管耐压低的问题。本专利技术所采用的技术方案是，一种高压雪崩晶体管，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压雪崩晶体管，其特征在于，包括由下至上依次设置的集电区电极(8)、第三外延层(4)、SI-GaAs衬底(1)、第一外延层(2)及第二外延层(3)，第二外延层(3)上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO

【技术特征摘要】
1.一种高压雪崩晶体管，其特征在于，包括由下至上依次设置的集电区电极(8)、第三外延层(4)、SI-GaAs衬底(1)、第一外延层(2)及第二外延层(3)，第二外延层(3)上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO2层(5)；还包括有形状均为条形叉指状的基区电极(6)及发射区电极(7)，基区电极(6)的底端穿过SiO2层(5)后与第一外延层(2)相接触；所述发射区电极(7)设置在光刻后的第二外延层(3)除凹槽外的剩余部分的上表面上。


2.根据权利要求1所述的一种高压雪崩晶体管，其特征在于，所述SI-GaAs衬底(1)的材料为n型SI-GaAs，SI-GaAs衬底(1)的厚度为1um-1mm，其掺杂浓度为1*107cm-3-1*1015cm-3。


3.根据权利要求2所述的一种高压雪崩晶体管，其特征在于，所述第一外延层(2)为p-短基区；第一外延层(2)的材料为n型GaAs，厚度为0.1um-2um，第一外延层(2)的表面积为1um2-100cm2，其p型掺杂浓度为1*1016cm-3-1*1018cm-3。


4.根据权利要求3所述的一种高压雪崩晶体管，其特征在于，所述第二外延层(3)为n+发射区；第二外延层(3)的材料为GaAs，第二外延层(3)的厚度为0.1u...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈光辉，赵岚，汪雅馨，徐鸣，兰春鹏，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61