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本发明公开的一种高压雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极、第三外延层、SI‑GaAs衬底、第一外延层及第二外延层，第二外延层上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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