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本发明公开了一种半导体器件的终端结构和绝缘栅双极型晶体管。所述半导体器件的终端结构包括：主结、场限环和截止环；所述场限环位于所述主结与所述截止环之间；漂移层，所述主结、所述场限环和所述截止环共用所述漂移层；其中，所述主结包括位于所述漂移层顶...
该专利属于上海陆芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海陆芯电子科技有限公司授权不得商用。

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