【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率器件测试，具体涉及硬开关gan hemt动态电阻测量电路。
技术介绍
1、在电力电子系统中，gan hemt的导通电阻会随着工作时间、状态的变换出现导通电阻变化的情况，测试需要测量多个周期器件的动态电阻；
2、由于示波器测试精度与测试范围呈反比，此时故在测量器件的源漏电压时需要保证器件关断时和导通时的源漏电压差值较小以满足测试精度。
3、根据以上需求，本专利技术针对该情况提出了一种设计、改动灵活的测试电路(测量电路)，在测试电路(测量电路)中提出了一种钳位电路，该钳位电路在轻载和重载下均能保证测量精度。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了硬开关gan hemt动态电阻测量电路，具有能够保证待测器件源漏两端电压测量精度得到保证，与电流计算得到准确的动态电阻值的特点。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：硬开关gan hemt动态电阻测量电路，包括直流电源、电感l、电流探头、待测器件、驱动电路、pwm信号模块、钳位监测模块、负载和开关s1；直流电源旁连接有c1，减少直流电源对测试电路的影响；直流电源的正极与电感l的一端相连，电感l的另一端连接有电流探头，直流电源的负极与开关s1一端相连，而开关s1另一端连接有负载，开关s1是该测试电路的保护模块，而负载一侧布设有待测器件和钳位监测模块，其中负载、钳位监测模块和待测器件源极相连接，电感l对待测器件测量时进行直流电源滤波，使得待测器件上电流线性
3、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，直流电源由外部提供，该直流电源工作电压范围为5-300v，以满足gan hemt在不同测试条件的电压要求。
4、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，电感l为直插式器件，可以根据测试条件、测试标准进行不同感值的电感选用，以满足不同工况的要求。
5、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，钳位监测模块由tvs、并联电容c2和差分探头构成，该电容c2容量不小于100μf，耐压大于tvs击穿电压，在待测器件关断后，该电容将电感中存储的能量转移到电容c2中，tsv在待测器件源漏两端电压差大于其击穿电压时，击穿续流，保证在下器件源漏两端电压较低，提高源漏压降测试精度。
6、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，差分探头用来监测待测器件源漏两端的电压，以完成对动态电阻的测量。
7、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，开关s1是为了避免电路在不测条件下仍然需要钳位电路工作，降低钳位电路寿命而设计的保护，其在电路不工作时自动断开。
8、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，在不进行电路结构调整的情况下，仅增加一路电流探头的情况下，便可完成双器件同时进行动态电阻测量。
9、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，在进行双器件同时进行动态电阻测量时，可以通过观察电流探头1和电流探头2电流大小分布，对同一批次器件的动态电阻一致性进行测试。
10、作为本专利技术的硬开关gan hemt动态电阻测量电路优选技术方案，开关s1可以采用拨杆式或者开关型器件。
11、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
12、1、本专利技术通过硬开关gan hemt动态电阻测量电路的设置，其模块组成包括直流电源、电感l、电流探头、待测器件、驱动电路、pwm信号、钳位监测、负载和开关s；
13、该测量电路的电感主要用来对直流电源的电流进行滤波，避免出现直流电源对待测器件和负载直接灌电流的情况，保证测量电路安全性；
14、电流探头对待测器件流过的电流进行测量，该电路钳位电路为该电路核心部分，由并联的电容c2、tvs和差分探头组成，用于对待测器件进行源漏电压钳位和源漏电压监测，负载对从待测器件和钳位监测流过的电流进行续流，通过在待测器件关断后，该电容将电感中存储的能量转移到电容c2中，tsv在待测器件源漏两端电压差大于其击穿电压时，击穿续流，保证在下器件源漏两端电压较低，提高源漏压降测试精度(差分探头用来监测待测器件源漏两端的电压，以完成对动态电阻的测量)。
15、2、本专利技术通过在电路中设计有钳位监测模块，使得在轻载和重载情况下待测器件的源漏电压全周期保持在tvs击穿电压范围内，使得测量区间最高电压有tvs控制，与待测器件导通时电压在同一数量级，保证待测器件源漏两端电压测量精度得到保证，与电流计算得到准确的动态电阻值。
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1.硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于，包括直流电源、电感L、电流探头、待测器件、驱动电路、PWM信号模块、钳位监测模块、负载和开关S1；
2.根据权利要求1所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：直流电源由外部提供，该直流电源工作电压范围为5-300V，以满足GaN HEMT在不同测试条件的电压要求。
3.根据权利要求2所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：电感L为直插式器件，可以根据测试条件、测试标准进行不同感值的电感选用，以满足不同工况的要求。
4.根据权利要求3所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：钳位监测模块由TVS、并联电容C2和差分探头构成，该电容C2容量不小于100μF，耐压大于TVS击穿电压，在待测器件关断后，该电容将电感中存储的能量转移到电容C2中，TSV在待测器件源漏两端电压差大于其击穿电压时，击穿续流，保证在下器件源漏两端电压较低，提高源漏压降测试精度。
5.根据权利要求4所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：差分探
6.根据权利要求5所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：开关S1是为了避免电路在不测条件下仍然需要钳位电路工作，降低钳位电路寿命而设计的保护，其在电路不工作时自动断开。
7.根据权利要求1所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：在不进行电路结构调整的情况下，仅增加一路电流探头的情况下，便可完成双器件同时进行动态电阻测量。
8.根据权利要求7所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：在进行双器件同时进行动态电阻测量时，可以通过观察电流探头1和电流探头2电流大小分布，对同一批次器件的动态电阻一致性进行测试。
9.根据权利要求1所述的硬开关GaN HEMT动态电阻测量电路，其特征在于：开关S1可以采用拨杆式或者开关型器件。
...【技术特征摘要】
1.硬开关gan hemt动态电阻测量电路，其特征在于，包括直流电源、电感l、电流探头、待测器件、驱动电路、pwm信号模块、钳位监测模块、负载和开关s1；
2.根据权利要求1所述的硬开关gan hemt动态电阻测量电路，其特征在于：直流电源由外部提供，该直流电源工作电压范围为5-300v，以满足gan hemt在不同测试条件的电压要求。
3.根据权利要求2所述的硬开关gan hemt动态电阻测量电路，其特征在于：电感l为直插式器件，可以根据测试条件、测试标准进行不同感值的电感选用，以满足不同工况的要求。
4.根据权利要求3所述的硬开关gan hemt动态电阻测量电路，其特征在于：钳位监测模块由tvs、并联电容c2和差分探头构成，该电容c2容量不小于100μf，耐压大于tvs击穿电压，在待测器件关断后，该电容将电感中存储的能量转移到电容c2中，tsv在待测器件源漏两端电压差大于其击穿电压时，击穿续流，保证在下器件源漏两端电压较低，提高源漏压降测...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗景涛，刘锦，侯雨晨，陈佳，
申请(专利权)人：西安众力为半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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