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本发明公开了一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道和漂移区，所述划片道内侧设有终端保护结构，终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区，漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端，第一P型掺杂保护终端和第二P型...
该专利属于西安众力为半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安众力为半导体科技有限公司授权不得商用。

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