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一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。提供了一种制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的...
该专利属于上海菱芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海菱芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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