一种形成IGBT场截止埋层的制备方法技术

一种形成IGBT场截止埋层的制备方法。包括以下步骤：选用FZ硅片作为N型衬底；去除N型衬底表面氧化层，在所述N型衬底的正面注入N型杂质并高温推结外延生长形成N型场截止埋层；在所述N型衬底的背面进行减薄处理；在所述N型场截止埋层上进行外延层生长；翻转所述N型衬底，在其背面进行后续常规正面工艺，栅极的生长与刻蚀，P型井和重掺杂的N型区的注入和激活，层间隔离层形成与刻蚀，以及发射极金属层的形成；将所述外延层全部去除；在所述N型场截止埋层上进行P型收集极的注入、激活和背面金属化。本发明专利技术工艺简单，实现方便。实现方便。

【技术实现步骤摘要】
一种形成IGBT场截止埋层的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种功率半导体器件加工
，尤其涉及一种形成IGBT场截止埋层的制备方法。

技术介绍

[0002]IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，是一种BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)复合结构的栅控电压驱动型功率半导体器件，具备高输入阻抗、高速开关特性、导通状态低损耗等特点。IGBT器件是现代通用的电力半导体器件，主要应用于新能源、机车牵引、智能电网、高压变频器等领域。
[0003]常规的沟槽型IGBT器件基本结构如图1所示，包含发射极金属层，沟槽栅极，N型衬底，N型场截止埋层结构，层间隔离层，重掺杂的N型区（序号1区域），P型井和P型收集极。
[0004]常规工艺上是通过氢注入工艺来实现较深结深（5um～25um）的N型场截止埋层结构的制备。氢注入工艺的特点是可以在较低温度下（350C～400C区间）实现注入离子的激活，因此，可以在晶圆完成正面工艺和减薄工艺之后再进行工艺加工。但是，较低的激活温度对注入工艺诱发的晶格损伤的修复程度有限。因此，采用氢注入工艺方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成IGBT场截止埋层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）选用FZ硅片作为N型衬底；2）去除N型衬底表面氧化层，在所述N型衬底的正面注入N型杂质并高温推结外延生长形成N型场截止埋层；3）在所述N型衬底的背面进行减薄处理；4）在所述N型场截止埋层上进行外延层生长；5）翻转所述N型衬底，在其背面进行后续常规正面工艺，栅极的生长与刻蚀，P型井和重掺杂的N型区的注入和激活，层间隔离层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周倩，
申请(专利权)人：上海菱芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：