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一种形成IGBT场截止埋层的制备方法。包括以下步骤：选用FZ硅片作为N型衬底；去除N型衬底表面氧化层，在所述N型衬底的正面注入N型杂质并高温推结外延生长形成N型场截止埋层；在所述N型衬底的背面进行减薄处理；在所述N型场截止埋层上进行外延层生...
该专利属于上海菱芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海菱芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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