【技术实现步骤摘要】
用于形成存储器结构的技术交叉参考本专利申请案主张由戈蒂(Gotti)等人在2019年6月28日申请的第16/456,349号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给其受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。
涉及用于形成存储器结构的技术。
技术介绍
下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及用于形成存储器结构的技术。存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态存储信息。举例来说，二进制装置很多时候存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；/n将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多种氧化物材料；/n蚀刻所述牺牲材料以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料与所述第一电极之间形成第二通道；/n将存储器材料沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙；及/n加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。/n
【技术特征摘要】
20190628 US 16/456,3491.一种方法，其包括：
蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极及牺牲材料；
将氧化物材料沉积于所述多个第一通道中的每一者中以形成多种氧化物材料；
蚀刻所述牺牲材料以在所述多种氧化物材料中的两种氧化物材料与所述第一电极之间形成第二通道；
将存储器材料沉积于所述两种氧化物材料及所述第二通道之上，所述存储器材料在所述第二通道中在所述存储器材料与所述第一电极之间产生空隙；及
加热所述存储器材料以导致所述存储器材料至少部分填充所述第二通道中的所述空隙。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在加热所述存储器材料之后蚀刻所述存储器材料以暴露所述多种氧化物材料的表面。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
蚀刻所述存储器材料会暴露所述多种氧化物材料之间的所述存储器材料的区段。
4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
将第二电极沉积于所述多种氧化物材料的所述表面及所述存储器材料之上，所述第二电极与所述存储器材料耦合；及
将数字线沉积于所述第二电极之上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
沉积所述存储器材料会导致所述存储器材料覆盖所述第二通道而不会填充通过蚀刻所述牺牲材料产生的所述第二通道的整个空间。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在加热所述存储器材料的持续时间的至少一部分期间将压力施加到所述存储器材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
通过以下操作形成所述材料堆叠：
沉积所述导电线；
将所述第一电极沉积到所述导电线上；及
将所述牺牲材料沉积到所述第一电极上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热所述存储器材料包括执行回流工艺。
9.根据权利要求1所述的方法，其中：
蚀刻所述牺牲材料包括执行湿蚀刻工艺。
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
沉积所述存储器材料包括物理气相沉积工艺。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器材料包括二氧化硅材料及硫属化物材料。
12.根据权利要求1所述的方法，其中：
加热所述存储器材料是至少部分基于所述存储器材料的玻璃转变温度。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括所述材料堆叠的顶层。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括氮化硅材料。
15.一种设备，其包括：
存储器单元，其通过以下操作形成：
蚀刻材料堆叠以形成将所述材料堆叠划分成多个区段的多个第一通道，所述材料堆叠包括导电线、第一电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·戈蒂，P·R·K·埃尔拉，D·W·柯林斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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