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本申请案涉及用于形成存储器结构的技术。形成存储器结构可包含蚀刻包含导电线、第一电极及牺牲材料的材料堆叠以将所述材料堆叠划分成多个区段。过程可进一步包含将氧化物材料沉积于第一数量的通道中的每一者中以形成多种氧化物材料。所述牺牲材料可经蚀刻以在...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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