【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路系统构造、DRAM构造以及用于形成集成电路系统构造的方法
本文揭示的实施例涉及集成电路系统构造、动态随机存取存储器(DRAM)构造以及用于形成集成电路系统构造的方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(也可称为字线)来写入或读取存储器单元。数字线可沿阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下长时间存储数据。常规地将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器会耗散，因此经刷新/重写以维护数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以按至少两个不同的可选状态来保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存...
【技术保护点】
1.一种集成电路系统构造，其包括：/n衬底，其包括集成电路系统的导电节点；/n导线结构，其在所述导电节点上方；及/n竖向延伸的导电通路，其沿所述导线结构纵向间隔，所述导电通路将所述导线结构个别地直接电耦合到所述导电节点中的个别者，所述导线结构包括：/n导电材料，其直接电耦合到所述导电通路并在纵向紧邻的所述导电通路之间延伸；/n上绝缘材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述导电材料正下方；/n掺杂或未掺杂半导体材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述上绝缘材料正下方；及/n下绝缘材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述半导体材料正下方。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180724 US 16/043,8931.一种集成电路系统构造，其包括：
衬底，其包括集成电路系统的导电节点；
导线结构，其在所述导电节点上方；及
竖向延伸的导电通路，其沿所述导线结构纵向间隔，所述导电通路将所述导线结构个别地直接电耦合到所述导电节点中的个别者，所述导线结构包括：
导电材料，其直接电耦合到所述导电通路并在纵向紧邻的所述导电通路之间延伸；
上绝缘材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述导电材料正下方；
掺杂或未掺杂半导体材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述上绝缘材料正下方；及
下绝缘材料，其在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述半导体材料正下方。
2.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体材料在任何地方都没有直接抵靠所述导电材料并且在任何地方都没有直接抵靠所述导电通路中的任一者。
3.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体材料在任何地方都不直接抵靠任何导电的材料。
4.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体材料是未掺杂的。
5.根据权利要求4所述的构造，其中所述半导体材料没有导电性修改杂质。
6.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体材料是掺杂的。
7.根据权利要求6所述的构造，其中所述半导体材料是半导电掺杂的。
8.根据权利要求6所述的构造，其中所述半导体材料是导电掺杂的。
9.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体材料包括掺杂部分及未掺杂部分两者。
10.根据权利要求1所述的构造，其中所述导电材料主要包括金属材料，并且所述半导体材料主要包括多晶硅及导电性修改掺杂剂的组合。
11.根据权利要求10所述的构造，其中所述导电通路主要包括导电掺杂的多晶硅。
12.根据权利要求1所述的构造，其中所述导电材料直接抵靠所述上绝缘材料的顶表面，所述上绝缘材料直接抵靠所述半导体材料的顶表面，并且所述半导体材料直接抵靠所述下绝缘材料的顶表面。
13.根据权利要求1所述的构造，其中所述导电通路及所述上绝缘材料具有共面的相应平面顶表面。
14.根据权利要求1所述的构造，其中所述上绝缘材料及所述下绝缘材料相对于彼此具有相同组成。
15.根据权利要求14所述的构造，其包括具有与所述绝缘材料的组成不同的组成的绝缘体材料，所述绝缘体材料沿所述导线结构纵向地位于(a)与(b)之间，其中：
(a)：所述上绝缘材料、所述半导体材料及所述下绝缘材料；及
(b)：所述导电通路。
16.根据权利要求1所述的构造，其中所述导线结构包括存储器电路系统的数字线。
17.根据权利要求16所述的构造，其中所述存储器电路系统包括DRAM。
18.一种DRAM构造，其包括：
凹入存取装置对，所述凹入存取装置个别地包括：
导电栅极，其在半导体材料中的沟槽中；
栅极绝缘体，其沿介于所述导电栅极与所述半导体材料之间的所述沟槽的侧壁及基底；
一对源极/漏极区，其在所述沟槽的相对侧上的所述半导体材料的上部分中；
沟道区，其沿所述沟槽侧壁及围绕所述沟槽基底在所述半导体材料中位于所述对源极/漏极区下方；及
所述凹入存取装置对中的个别者中的所述对源极/漏极区中的所述源极/漏极区中的一者横向介于所述个别凹入存取装置对中的所述导电栅极之间并由所述个别凹入存取装置对共享，所述对源极/漏极区中的所述源极/漏极区中的其它者未在所述个别凹入存取装置对中共享；
数字线结构，其直接电耦合到所述个别凹入存取装置对中的多者的所述一...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·R·麦克马斯特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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