【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法
本文中揭示的实施例涉及晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。存储器单元可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及字线(其也可被称为存取线)来被写入或读取。数字线可使沿阵列的列的存储器单元导电地互连，且字线可使沿阵列的行的存储器单元导电地互连。可通过数字线及字线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可长时间(包含在关闭计算机时)存储数据。易失性存储器消耗且因此需要被刷新/重写，在许多例子中，每秒多次刷新/重写。无论如何，存储器单元经配置以将存储器保存或存储成至少两种不同可选择状态。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两个电平或状态。
【技术保护点】
1.一种存储器单元阵列，其个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管，所述阵列包括字线的行及数字线的列，其包括：/n所述列中的个别者包括在所述阵列内的个别存储器单元的在竖向上延伸的晶体管的沟道区域下方的数字线且将所述列中的所述晶体管互连，所述沟道区域个别包括一对相对横向侧；/n所述行中的个别者包括所述数字线上方的字线，所述字线跨所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的一者横向延伸且可操作地横向邻近所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的所述者且将所述行中的所述晶体管互连，所述行中的所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的另一者未可操作地横向邻近所述行中的所述字线且未可操作地横向邻...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180427 US 15/965,6321.一种存储器单元阵列，其个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管，所述阵列包括字线的行及数字线的列，其包括：
所述列中的个别者包括在所述阵列内的个别存储器单元的在竖向上延伸的晶体管的沟道区域下方的数字线且将所述列中的所述晶体管互连，所述沟道区域个别包括一对相对横向侧；
所述行中的个别者包括所述数字线上方的字线，所述字线跨所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的一者横向延伸且可操作地横向邻近所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的所述者且将所述行中的所述晶体管互连，所述行中的所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的另一者未可操作地横向邻近所述行中的所述字线且未可操作地横向邻近所述字线中的任何其它者；且
所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：
第一电容器电极，其电耦合到所述晶体管中的一者的上源极/漏极区域且在竖向上从所述上源极/漏极区域向上延伸；
在竖向上延伸的电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧，所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者可操作地邻近所述第一电容器电极的横向侧；及
在竖向上延伸的第二电容器电极，其包括一对横向相对侧，所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者可操作地邻近所述电容器绝缘体的所述另一横向相对侧，所述阵列内的所述第二电容器电极是沿着所述电容器的线水平延伸的纵向间隔的伸长线，所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着电容器的所述线的电容器共享。
2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述电容器绝缘体的所述一个横向相对侧直接抵靠所述第一电容器电极的所述横向侧，所述电容器绝缘体的所述一个横向相对侧及所述第一电容器电极的所述横向侧的至少大部分在其中其直接抵靠彼此之处从顶部到底部在水平横截面中是各自线性笔直的。
3.根据权利要求2所述的阵列，其中所述电容器绝缘体的所述一个横向相对侧及所述第一电容器电极的所述横向侧的全部在其中其直接抵靠彼此之处从顶部到底部在水平横截面中是各自线性笔直形式并排。
4.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一电容器电极直接抵靠所述上源极/漏极区域的最上表面，所述第一电容器电极直接抵靠所述上源极/漏极区域最上表面的少于全部。
5.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一电容器电极沿着其相应第二电容器电极线个别纵向延伸大于所述纵向紧邻第一电容器电极之间沿着电容器的所述线的空间的水平距离的水平距离。
6.根据权利要求1所述的阵列，其中所述字线相对于彼此平行，所述第二电容器电极线相对于彼此且相对于所述字线平行。
7.根据权利要求1所述的阵列，其中所述数字线相对于彼此平行，所述第二电容器电极线相对于彼此平行且不相对于所述数字线平行。
8.根据权利要求1所述的阵列，其中所述存储器单元的层内的所述存储器单元具有平移对称性，其中所述存储器单元中的个别者是1T-1C且占用约1.0667F2的水平区域，其中“F”是通过个别的所述第二电容器电极线、所述电容器绝缘体及所述第一电容器电极水平、横向及正交获取的存储器单元间距。
9.根据权利要求8所述的阵列，其中所述水平区域由1F×1.0667F矩形水平定界。
10.根据权利要求1所述的阵列，其中所述横向紧邻字线的个别对具有在所述个别第二电容器电极线正下方的其至少部分。
11.根据权利要求10所述的阵列，其中所述横向紧邻字线的所述对彼此横向分开比所述横向紧邻字线的每一对内的所述字线中的个别者彼此横向分开更远。
12.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第二电容器电极线比所述个别字线个别更宽。
13.根据权利要求12所述的阵列，其中所述第二电容器电极线比所述个别字线个别宽多于两倍。
14.根据权利要求13所述的阵列，其中所述第二电容器电极线比所述个别字线个别宽至少五倍。
15.根据权利要求13所述的阵列，其中所述第二电容器电极比所述个别字线个别宽不多于五倍。
16.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第二电容器电极线比所述个别数位线个别更宽。
17.根据权利要求16所述的阵列，其中所述第二电容器电极线比所述个别数位线个别宽少于两倍。
18.根据权利要求1所述的阵列，其中所述电容器绝缘体是铁电的。
19.根据权利要求1所述的阵列，其中所述晶体管个别包括：
半导体材料，其在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形，借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底，所述杆的所述半导体材料包括所述上源极/漏极区域中的个别者及在所述个别上源极/漏极区域下方的所述沟道区域中的个别者；
(a)及(b)中的至少一者，其中
(a)：所述杆的所述半导体材料包括在所述沟道区域下方的下源极/漏极区域；及
(b)：所述基底的所述半导体材料包括下源极/漏极区域；及
栅极，其可操作地横向邻近所述杆的所述沟道区域，所述栅极中的个别者是所述字线中的个别者的个别部分。
20.根据权利要求19所述的阵列，其包括横向紧邻晶体管的个别对，所述横向紧邻晶体管的每一对内的所述半导体材料中的一个个别者在所述至少一个直线垂直横截面中是大体上L形，所述横向紧邻晶体管的每一对内的所述另一个别半导体材料在所述至少一个直线垂直横截面中是大体上镜像L形。
21.根据权利要求20所述的阵列，其中所述横向紧邻晶体管的所述对彼此横向分开比所述横向紧邻晶体管的每一对内的所述晶体管中的个别者彼此横向分开更远。
22.一种存储器单元阵列，其个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管，所述阵列包括字线的行及数字线的列，其包括：
所述列中的个别者包括在所述阵列内的个别存储器单元的在竖向上延伸的晶体管的沟道区域下方的数字线且将所述列中的所述晶体管互连，所述沟道区域个别包括一对相对横向侧；
所述行中的个别者包括所述数字线上方的字线，所述字线跨所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的一者横向延伸且可操作地横向邻近所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的所述者且将所述行中的所述晶体管互连，所述行中的所述晶体管沟道区域的所述对横向相对侧中的另一者未可操作地横向邻近所述行中的字线且未可操作地横向邻近所述字线中的任何其它者；及
所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：
第一电容器电极，其直接...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·N·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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