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本发明揭示一种晶体管，其包括在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底的半导体材料。所述杆的所述半导体材料包括上源极/漏极区域及在其下方的沟道区域。所述晶...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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