半导体装置制造方法及图纸

得到具有良好的电气特性，并且抑制了制造成本的半导体装置。半导体装置(10)具有半导体衬底(40)，半导体衬底(40)被分类为IGBT区域(11)、二极管区域(12)、及MOSFET区域(13)。在半导体衬底(40)设置n

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及包含IGBT区域、二极管区域、及MOSFET区域而构成的半导体装置。
技术介绍
在家电产品、电动汽车或铁路等广泛领域中使用的逆变器装置多数是对感应电动机等感性负载进行驱动。逆变器装置例如是使用IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)或MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)等开关元件、及续流二极管(下面，有时简称为“二极管”)等多种半导体器件而构成的。由于要求逆变器装置高效且节电，因此从市场方面要求半导体装置的高性能化和低成本化。为了电力用半导体装置的高性能化和低成本化，正在开发沟槽MOS栅极构造、半导体衬底的薄化、及反向导通型IGBT(RC-IGBT:ReverseConductingIGBT)等。RC-IGBT是能够双向通电的半导体装置，该RC-IGBT例如是将IGBT和二极管内置于相同半导体衬底而一体化后的器件。在专利文献1中公开了如下半导体装置，该半导体装置具有：半导体衬底；SJ-MOSFET部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其构成为包含：IGBT区域，其在内部具有IGBT；二极管区域，其在内部具有二极管；以及MOSFET区域，其在内部具有MOSFET，/n该半导体装置的特征在于，具有：/n半导体衬底，其具有第1及第2主面；/n第1导电型的漂移层，其设置于所述半导体衬底；/n第2导电型的基极层，其设置于所述半导体衬底，该基极层是相对于所述漂移层在所述第1主面侧与所述漂移层相邻而选择性地配置的；以及/n第2导电型的阳极层，其设置于所述半导体衬底，该阳极层是相对于所述漂移层在所述第1主面侧与所述漂移层相邻而选择性地配置的，/n在所述IGBT区域、所述二极管区域及所述MOSFET区域之间共用所述漂移层...

【技术特征摘要】
20190307 JP 2019-0416421.一种半导体装置，其构成为包含：IGBT区域，其在内部具有IGBT；二极管区域，其在内部具有二极管；以及MOSFET区域，其在内部具有MOSFET，
该半导体装置的特征在于，具有：
半导体衬底，其具有第1及第2主面；
第1导电型的漂移层，其设置于所述半导体衬底；
第2导电型的基极层，其设置于所述半导体衬底，该基极层是相对于所述漂移层在所述第1主面侧与所述漂移层相邻而选择性地配置的；以及
第2导电型的阳极层，其设置于所述半导体衬底，该阳极层是相对于所述漂移层在所述第1主面侧与所述漂移层相邻而选择性地配置的，
在所述IGBT区域、所述二极管区域及所述MOSFET区域之间共用所述漂移层，在所述IGBT区域及所述MOSFET区域之间共用所述基极层，在所述二极管区域利用所述阳极层，
所述IGBT区域及所述MOSFET区域各自包含在从所述第1主面侧贯穿所述基极层而到达所述漂移层的一部分的区域隔着绝缘膜埋入的埋入导电层，
所述IGBT区域及所述MOSFET区域各自具有将所述埋入导电层作为栅极电极，将所述绝缘膜作为栅极绝缘膜，将所述基极层作为沟道区域的MOS栅极构造，
通过在所述IGBT区域和所述MOSFET区域之间配置所述二极管区域，从而使所述IGBT区域与所述MOSFET区域分离而不相邻。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述二极管区域具有在贯穿所述基极层而到达所述漂移层的一部分的区域隔着绝缘膜埋入的哑埋入导电层。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述漂移层包含：
IGBT用漂移层，其形成于所述IGBT区域；以及
MOSFET用漂移层，其形成于所述MOSFET区域，
所述MOSFET用漂移层在至少一部分具有与所述IGBT用漂移层相比，第1导电型的杂质浓度被设定为高浓度的漂移高浓度区域。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述漂移高浓度区域设置于所述MOSFET用漂移层整体。


5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，
所述IGBT用漂移层在与所述基极层接触的区域，具有与所述IGBT用漂移层的其它区域相比第1导电型的杂质浓度高的载流子存储区域，
所述载流子存储区域及所述漂移高浓度区域的第1导电型的杂质浓度被设定为相同的浓度，并且形成深度被设定为相同的深度。


6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在所述IGBT区域，
所述漂移层在与所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：上马场龙，高桥彻雄，曾根田真也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP