半导体存储器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体存储器件，包括一半导体基板，其具有一存储区以及位于所述存储区周围的一外围区、位线结构，位在所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储区与所述外围区、间隔物结构，位在所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述存储区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接、以及牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中，其实用新型专利技术特点在于器件的存储单元区与外围区具有同样的单元设置，可以解决图形密度不同所导致的微负载效应问题并让出更多的存储单元区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
本技术公开的实施方式涉及一种半导体存储器件，更具体来说，其涉及一种具有位于位线之间的间隔物结构以及位于周边区的位线接触结构的半导体存储器件。
技术介绍
存储器件是一种集成电路，其通常在计算机系统中用来存储数据，制作成一或多个具有个别存储单元的矩阵型态。存储器件可使用位线(也可称为数位线、数据线或读出线)与字线(也可称为存取线)来进行写入与读取的动作，其中位线可沿着矩阵的纵列电连接到存储单元，而字线可沿着矩阵的横列电连接到存储单元。每个存储单元都可经由一条位线与一条字线的组合来个别寻址。存储器件可为易失性、半易失性或是非易失性性质。在没有供电的情况下，非易失性的存储器件可以存储数据达一段很长的时间，易失性的存储器件所存储的数据则是会消散，因此需要透过不断的刷新/重写来维持其数据存储。存储器件会使用电容器等部件来存储电荷，通过读取电容器的电荷来判定存储单元是位于哪一种存储态，例如“0”或“1的存储态”，以此达到数据存储与读取的目的。存储器件中也会具有晶体管等电子部件来控制栅极的开关以及电荷的存储与释放与否。存储器件的存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，其特征在于，包含：/n一半导体基板，具有一存储单元区以及位于所述存储单元区周围的一外围区；/n位线结构，位于所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储单元区与所述外围区；/n间隔物结构，位于所述位线结构之间；/n存储节点接触结构，位于所述存储单元区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接；以及/n牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，其特征在于，包含：
一半导体基板，具有一存储单元区以及位于所述存储单元区周围的一外围区；
位线结构，位于所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储单元区与所述外围区；
间隔物结构，位于所述位线结构之间；
存储节点接触结构，位于所述存储单元区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接；以及
牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中。


2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构位于所述外围区中的部位是位于器件隔离层上。


3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构与所述器件隔离层之间还具有一绝缘夹层。


4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构从所述存储单元区一侧的所述外围区延伸经过所述存储单元区至所述存储单元区另一侧的所述外围区，且更包含位线接触结构位于所述存储单元区两侧的所述外围区上并在两侧的所述外围区上以交互方式连接在所述位线结构上。


5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构与所述位线结构的金属层直接接触。


6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构具有一长边，所述长边与所述位线结构的延伸方向平行。


7.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构的长边长过于所述间隔物结构与所述牺牲层。


8.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，更包含一覆盖绝缘层，位于位线结构、所述间隔物结构以及所述牺牲层上，且所述位线接触结构位于所述覆盖绝缘层中。


9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述间隔物结构与所述牺牲层都是介电绝缘材料且材料不同。


10.一种半导体存储器件，其特征在于，包含：
一半导体基板；
位线结构，位于所述半导体基板的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，林昭雄，朱家仪，童宇诚，赖惠先，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35