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本实用新型公开了一种半导体存储器件，包括一半导体基板，其具有一存储区以及位于所述存储区周围的一外围区、位线结构，位在所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储区与所述外围区、间隔物结构，位在所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述存...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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