【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。然而，现有的存储器结构中，由于电容与字线和晶体管之间还具有位线、以及与位线连接的导电结构，因此，为了使电容与字线和晶体管之间连接，形成电容结构与位线、以及与位线连接的导电结构之间需要互相避开，从而，导致存储器的存储阵列区中，电路布线复杂、制造工艺难度较大。不仅如此，一方面，由于存储阵列区中的电路布线复杂，因此，电容以外的电路会占用较大面积，从而，导致存储器的存储密度下降，造成电容的存储容量变小。另一方面，由于电容的结构...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面；/n位于所述第一衬底内的栅极，所述栅极自第一面朝向第二面延伸，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区，所述栅极包括电极层、以及位于所述电极层与第一衬底之间的介质层，所述第一面暴露出所述电极层的顶面；/n位于所述第一面上的若干字线，每个字线位于至少1个电极层的顶面；/n位于所述第一面上的若干位线，每个位线还至少位于1个第一掺杂区表面，且若干所述字线和位...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面；
位于所述第一衬底内的栅极，所述栅极自第一面朝向第二面延伸，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区，所述栅极包括电极层、以及位于所述电极层与第一衬底之间的介质层，所述第一面暴露出所述电极层的顶面；
位于所述第一面上的若干字线，每个字线位于至少1个电极层的顶面；
位于所述第一面上的若干位线，每个位线还至少位于1个第一掺杂区表面，且若干所述字线和位线之间绝缘；
位于所述第二面的若干电容，且每个电容在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容包括第一电容电极层、位于第一电容电极层表面的电容介质层、以及位于电容介质层表面的第二电容电极层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底内具有若干电容开口，所述电容开口在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合，所述第一电容电极层位于所述电容开口的内壁面。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底内的隔离结构，所述隔离结构自第一面朝向第二面延伸，所述隔离结构位于相邻的第一掺杂区之间，所述隔离结构还位于相邻的第二掺杂区之间，所述第一面暴露出所述隔离结构顶面。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，若干所述字线沿第一方向延伸，若干所述位线沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向相互垂直。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，若干所述栅极沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，每个字线位于沿第一方向排列的1列开栅极的电极层的顶面，并且，在所述第二方向上，每个位线横跨1行栅极。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一面的第一介质结构，所述第一介质结构表面高于所述字线表面。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质结构内具有若干第二开口，每个第二开口至少暴露出1个第一掺杂区的部分或全部表面，所述位线位于所述第二开口内及所述第一介质结构表面。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底包括存储区，所述字线、位线、栅极、以及电容位于所述存储区。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底还包括第一逻辑区，所述第一衬底内还具第一逻辑电路，且所述第一逻辑电路位于第一逻辑区。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一逻辑电路包括行地址解码器、数据输入缓存器、数据输出缓存器、读出放大器、列地址解码器以及驱动电路中的1种或多种。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与所述第一衬底键合的第二衬底，所述第二衬底具有相对的功能面和非功能面，所述第一面朝向所述功能面，所述第二衬底内具有第二逻辑电路，所述第二逻辑电路与所述第一逻辑电路电连接。
13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述位线表面和第一面上的第二介质结构，所述第二介质结构表面高于所述位线表面；位于所述第二介质结构内的第一导电层，所述第二介质结构表面暴露出所述第一导电层，所述第一导电层分别与所述第一逻辑电路、第二逻辑电路连接。
14.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与所述第一衬底键合的第二衬底，所述第二衬底具有相对的功能面和非功能面，所述第一面朝向所述功能面，所述第二衬底内具有第二逻辑电路，所述第二逻辑电路与所述位线电连接。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述位线表面和第一面上的第二介质结构，所述第二介质结构表面高于所述位线表面；位于所述第二介质结构内的第一导电层，所述第一导电层与所述位线连接，且所述第二介质结构表面暴露出所述第一导电层。
16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述功能面上的第三介质结构；位于所述第三介质结构内的第二导电层，所述第二导电层与所述第二逻辑电路电连接，所述第三介质结构表面暴露出所述第二互连层，并且，所述第一导电层在所述第一面的投影，与所述第二导电层在所述第一面的投影至少部分重合。
17.如权利要求12或14所述的半导体结构，其特征在于，所述第二逻辑电路包括行地址解码器、数据输入缓存器、数据输出缓存器、读出放大器、列地址解码器以及驱动电路中的1种或多种。
18.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面；
在所述第一衬底内形成若干自第一面朝向第二面延伸的栅极，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区，所述栅极包括电极层、以及位于所述电极层与第一衬底之间的介质层，所述第一面暴露出所述电极层的顶面；
在所述第一面上形成若干字线，每个字线位于至少1个电极层的顶面；
在所述第一面上形成若干位线，每个位线还至少位于1个第一掺杂区表面，且若干所述字线和位线之间绝缘；
在所述第二面形成若干电容，且每个电容在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合。
19.如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电容包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王喜龙，薛迎飞，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，浙江清华长三角研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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