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一种半导体结构及其形成方法,其中,方法包括:第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面,所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区,且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面;位于所述第一衬底...该专利属于芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院所有,仅供学习研究参考,未经过芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中,方法包括:第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面和第二面,所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区,且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面;位于所述第一衬底...