存储结构及其形成方法技术

一种存储结构及其形成方法，其中所述存储结构，包括：位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极，且所述两个第二凹槽分别位于第二抗刻蚀介电层两侧，所述绝缘层的表面低于第二凹槽的底部表面；位于第一抗刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层之间的绝缘层上的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面以及第二凹槽两侧的源极和漏极侧壁的部分表面的，所述第三凹槽与相应的第二凹槽连通；位于所述第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。本发明专利技术的存储结构减小了漏电流的大小。

【技术实现步骤摘要】
存储结构及其形成方法
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种存储结构及其形成方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。但是现有的存储器中由电容器和晶体管组成的存储结构存在漏电流的问题，存储器的性能仍有待提升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是减小存储器中由电容器和晶体管组成的存储结构的漏电流。为此，本专利技术提供了一种存储结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽包括沿列方向排布的若干第一沟槽以及沿行方向排布的若干第二沟槽，所述第一沟槽中填充满绝缘层，所述第二沟槽中填充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽包括沿列方向排布的若干第一沟槽以及沿行方向排布的若干第二沟槽，所述第一沟槽中填充满绝缘层，所述第二沟槽中填充满第一抗刻蚀介电层；/n在所述相邻第一抗刻蚀介电层之间的有源区的侧壁表面和绝缘层中形成第二抗刻蚀介电层；/n刻蚀所述有源区，在每个有源区中形成沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极，且所述两个第二凹槽分别位于第二抗刻蚀介电层两侧；/n刻蚀去除第一抗刻蚀介电层和第二抗刻蚀介...

【技术特征摘要】
1.一种存储结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽包括沿列方向排布的若干第一沟槽以及沿行方向排布的若干第二沟槽，所述第一沟槽中填充满绝缘层，所述第二沟槽中填充满第一抗刻蚀介电层；
在所述相邻第一抗刻蚀介电层之间的有源区的侧壁表面和绝缘层中形成第二抗刻蚀介电层；
刻蚀所述有源区，在每个有源区中形成沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极，且所述两个第二凹槽分别位于第二抗刻蚀介电层两侧；
刻蚀去除第一抗刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层之间的部分绝缘层，形成至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面以及第二凹槽两侧的源极和漏极侧壁的部分表面的第三凹槽，所述第三凹槽与相应的第二凹槽连通；
在所述第二凹槽和第三凹槽中形成栅极结构。


2.如权利要求1所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层的材料与绝缘层的材料不相同。


3.如权利要求2所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层的深度大于第三凹槽和第二凹槽的总深度。


4.如权利要求2或3所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述第二抗刻蚀介电层的形成过程包括：在所述绝缘层和有源区上形成掩膜层，所述掩膜层中具有沿行方向分布的若干开口，每一个开口至少暴露出有源区两侧的部分绝缘层表面；以所述掩膜层为掩膜，沿开口刻蚀所述绝缘层，在所述绝缘层中形成第四凹槽，所述第四凹槽暴露出有源区的部分侧壁；形成填充满第四凹槽的第二抗刻蚀介电层。


5.如权利要求1或2所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成的行列排布的若干分立的有源区的具体过程为：在所述半导体衬底上形成沿列方向排布的若干分立的长条形主动区，相邻长条形主动区之间具有第二沟槽，所述第一沟槽中填充满绝缘层；刻蚀所述长条形主动区和绝缘层，在长条形主动区和绝缘层中形成若干沿行方向排布的第二沟槽，所述第二沟槽将长条形主动区断开，形成行列排布的若干分立的有源区，形成填充满第二沟槽的第一抗刻蚀介电层。


6.如权利要求5所述的存储结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一抗刻蚀介电层之前，刻蚀第二沟槽底部的长条形主动区和绝缘层，在第二沟槽底部的长条形主动区和绝缘层中形成第三沟槽，所述第三沟槽沿行方向上的尺寸大于第二沟槽沿行方向上的尺寸；在所述第三沟槽的侧壁形成第二绝缘层；形成第二绝缘层后，刻蚀第三沟槽底部的长条形主动区和绝缘层，在第三沟槽底部的长条形主动区和绝缘层中形成第四沟槽，在第四沟槽、第三沟槽和第二沟槽中形成第一抗刻蚀介电层。


7.如权利要求6所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度或者第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽的总深度大于第二凹槽和第三凹槽的总深度。


8.如权利要求6所述的存储结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除第一抗刻蚀介电层和第二抗刻蚀介电层之间的部分绝缘层的同时，去除所述第二绝缘层。


9.如权利要求6所述的存储结构的形成方法，其特征在于，所述第三凹槽不仅暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面以及第二凹槽两侧的源极和漏极侧壁的部...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34