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一种存储结构及其形成方法，其中所述存储结构，包括：位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极，且所述两个第二凹槽分别位于第二抗刻蚀介电层两侧，所述绝缘层的表面低于...
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