包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法制造方法及图纸

本专利申请案涉及包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法。一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。

【技术实现步骤摘要】
包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法优先权主张本申请案主张2019年5月23日申请的题为“包含层压间隔件结构的设备及相关存储器装置、电子系统及方法(ApparatusesIncludingLaminateSpacerStructures,andRelatedMemoryDevices,ElectronicSystems,andMethods)”的序列号为16/420,429的美国临时专利申请案的申请日期的权益。
本专利技术的实施例涉及微电子装置设计及制造领域。更具体来说，本专利技术的实施例涉及包含层压间隔件结构的设备及相关存储器装置、电子系统及方法。
技术介绍
微电子装置(例如半导体装置)的设计者希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来不断提高微电子装置内的特征的集成度或密度。另外，微电子装置设计者通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优点及简化设计的设计架构。相对常见的微电子装置是存储器装置。如本文中使用，术语“存储器装置”意味着且包含并入(但不限于)存储器结构及功能的微电子装置。存储器装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n导电结构；/n另一导电结构；及/n层压间隔件结构，其在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间，所述层压间隔件结构包括：/n电介质间隔件结构；/n另一电介质间隔件结构；及/n额外电介质间隔件结构，其插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间，所述额外电介质间隔件结构包括：/n至少一个电介质材料；及/n气窝，其分散于所述至少一个电介质材料内。/n

【技术特征摘要】
20190523 US 16/420,4291.一种设备，其包括：
导电结构；
另一导电结构；及
层压间隔件结构，其在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间，所述层压间隔件结构包括：
电介质间隔件结构；
另一电介质间隔件结构；及
额外电介质间隔件结构，其插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间，所述额外电介质间隔件结构包括：
至少一个电介质材料；及
气窝，其分散于所述至少一个电介质材料内。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构具有低于SiO2的介电常数的介电常数。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝在所述第一方向上各自个别地展现小于或等于所述额外电介质间隔件结构的最大宽度的约三分之一的最大宽度。


4.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝各自个别地展现从约0.4nm到约1.3nm的范围内的最大宽度。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝包括H2气窝。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝基本上同质地分散于所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料内。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝异质地分散于所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料内。


8.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构在所述第一方向上的宽度是在从约6nm到约9nm的范围内。


9.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构的所述电介质间隔件结构、所述另一电介质间隔件结构及所述额外电介质间隔件结构在所述第一方向上各自个别地展现从约2nm到约4nm的范围内的宽度。


10.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述电介质间隔件结构及所述另一电介质间隔件结构各自包括电介质氮化物材料及电介质碳氮化物材料中的一或多者；且
所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料包括电介质氧化物材料、额外电介质氮化物材料、额外电介质碳氮化物材料、电介质氮氧化物材料、氢化电介质碳氧化物材料、电介质碳氧化物材料及电介质碳氮氧化物材料中的一或多者。


11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括所述层压间隔件结构上的电介质衬层结构，所述层压间隔件结构的所述额外电介质间隔件结构基本上由所述电介质衬层结构、所述层压间隔件结构的所述电介质间隔件结构及所述层压间隔件结构的所述另一电介质间隔件结构的组合囊封。


12.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构在正交于所述第一方向的第二方向上延伸超过所述导电结构及所述另一导电结构的边界。


13.一种形成设备的方法，其包括：
在插入于导电结构之间的开口内形成层压间隔件结构，所述层压间隔件结构中的每一者包括：
第一电介质间隔件结构；
第二电介质间隔件结构，其向内毗邻所述电介质间隔件结构且包括浸透包括H、He及Ne中的一或多者的至少一个掺杂物的电介质材料；及
第三电介质间隔件结构，其内向毗邻所述第二电介质间隔件结构；
形成在所述开口内且插入于所述层压间隔件结构之间的另一导电结构；及
加热所述层压间隔件结构以将所述层压间隔件结构中的每一者的所述第二电介质间隔件结构转换成包括分散于所述电介质材料内的气窝的经改质第二电介质间隔件结构。


14.根据权利要求13所述的方法，其中在开口内形成层压间隔件结构包括：
在所述开口内及外形成第一电介质间隔件材料；
在所述开口内及外的所述第一电介质间隔件材料的表面之上形成第二电介质间隔件材料；
将所述至少一个掺杂物植入到所述第二电介质间隔件材料中以形成经掺杂第二电介质间隔件材料；
移除所述第一电介质间隔件材料及所述经掺杂第二电介质间隔件材料的部分以形成所述层压间隔件结构中的每一者的所述第一电介质间隔件结构及所述第二电介质间隔件结构；
在所述开口的边界处、内及外的暴露表面之上形成第三电介质间隔件材料；及
移除所述第三电介质间隔件材料的部分以形成所述层压间隔件结构中的每一者的所述第三电介质间隔件结构。


15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述至少一个掺杂物植入到所述第二电介质间隔件材料中包括将H+及H2+中的一或多者植入到所述第二电介质间隔件材料中。


16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述层压间...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·博尔萨里，S·E·伍德，李皓玉，王宜平，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US