一种掩膜图案的形成方法及掩膜图案、半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种掩膜图案的形成方法，包括：形成若干个第一芯轴图案，在第一芯轴图案的两侧形成第一一级侧墙；且第一一级侧墙不会被刻蚀开。相比于现有技术中人为增大不同SRAM单元的间隔距离的方法，本发明专利技术通过在至少两个相邻的第一芯轴图案之间形成第一一级侧墙的方法，就可以实现对第一存储单元在侧墙厚度方向上占据的空间的控制。解决了第一存储单元和第二存储单元在侧墙厚度方向上占据空间不同，从而造成的半导体器件均匀性差，性能不佳的问题。增加了半导体器件的均匀性，提高了半导体器件的质量。本发明专利技术还提供了一种性能更好的掩膜图案和半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜图案的形成方法及掩膜图案、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种掩膜图案的形成方法及掩膜图案、半导体器件。
技术介绍
静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)是随机存取存储器的一种，这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。并且，由于其具有运行速度快、功耗低、与标准工艺相兼容的特点，SRAM被广泛应用于电子产品、通信等领域。随着半导体工艺技术的不断发展，SRAM的集成度不断提高，SRAM中晶体管的尺寸也不断缩小，使得晶体管容易产生短沟道效应，最终影响SRAM的性能。在鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)中，栅极可以从两侧对鳍部进行控制，因此栅极对沟槽的控制能力较强，能够抑制短沟道效应。因此，利用鳍式场效应晶体管构成SRAM可以提高SRAM的性能。一个静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)包括多个静态随机存储单元，多个SRAM单元按照阵列排列，每个存储单元需要四到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括：/n形成若干个第一芯轴图案；/n在所述第一芯轴图案的两侧形成第一一级侧墙；且/nS1≥S2/2，其中，S1为至少两个相邻的所述第一芯轴图案之间相邻的所述第一一级侧墙的厚度，S2为所述至少两个相邻的所述第一芯轴图案的相邻侧壁之间的距离；或/nS3＜S4，其中，S3为至少两个相邻的所述第一芯轴图案之间相邻的所述第一一级侧墙之间的距离，S4为所述第一一级侧墙的可刻蚀尺寸。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括：
形成若干个第一芯轴图案；
在所述第一芯轴图案的两侧形成第一一级侧墙；且
S1≥S2/2，其中，S1为至少两个相邻的所述第一芯轴图案之间相邻的所述第一一级侧墙的厚度，S2为所述至少两个相邻的所述第一芯轴图案的相邻侧壁之间的距离；或
S3＜S4，其中，S3为至少两个相邻的所述第一芯轴图案之间相邻的所述第一一级侧墙之间的距离，S4为所述第一一级侧墙的可刻蚀尺寸。


2.根据权利要求1所述的掩膜图案的形成方法，其特征在于，还包括：
形成若干个第二芯轴图案；
在所述第二芯轴图案的两侧形成第二一级侧墙，其中，相邻的各所述第二芯轴图案之间的所述第二一级侧墙之间的间距大于等于所述第二一级侧墙的可刻蚀尺寸。


3.根据权利要求2所述的掩膜图案的形成方法，其特征在于，在所述至少两个相邻的所述第一芯轴图案的之间相邻的所述第一一级侧墙远离彼此的一侧形成第一二级侧墙；且
在其余所述第一一级侧墙的两侧形成所述第一二级侧墙，且相邻的所述第一一级侧墙之间的所述第一二级侧墙的间距大于等于所述第一二级侧墙的可刻蚀尺寸；
在所述第二一级侧墙的两侧形成第二二级侧墙，且相邻的所述第二一级侧墙之间的所述第二二级侧墙的间距大于等于所述第二二级侧墙的可刻蚀尺寸。


4.根据权利要求3所述的掩膜图案的形成方法，其特征在于，在所述第一二级侧墙的两侧形成第一三级侧墙，且相邻的所述第一二级侧墙之间的所述第一三级侧墙的间距大于等于所述第一三级侧墙的可刻蚀尺寸；
在所述第二二级侧墙的两侧形成第二三级侧墙，且相邻的所述第二二级侧墙之间的所述第二三级侧墙的间距大于等于所述第二三级侧墙的可刻蚀尺寸。

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，朱赛亚，庞军玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31