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本发明公开了一种掩膜图案的形成方法，包括：形成若干个第一芯轴图案，在第一芯轴图案的两侧形成第一一级侧墙；且第一一级侧墙不会被刻蚀开。相比于现有技术中人为增大不同SRAM单元的间隔距离的方法，本发明通过在至少两个相邻的第一芯轴图案之间形成第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。