SRAM器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种本发明专利技术提供的SRAM器件及其形成方法，有选择性的刻蚀所述刻蚀阻挡层和保护层，使保护层在形成开孔的刻蚀过程中能很好的保留，保护层具有高致密性，在形成开孔的过程中可对侧墙起到很好的保护作用。形成共享接触孔后，共享接触孔下方的侧墙依然保留，侧墙能很好的保护轻掺杂区，避免形成漏电通道，从而提升SRAM器件器件的可靠性和电性能。形成仅覆盖侧墙的保护层；保护层覆盖所述侧墙起到保护侧墙的作用，侧墙以外的其他区域没有保护层覆盖，特别是源极（或漏极），如此一来，刻蚀阻挡层与源极（或漏极）直接接触，高拉伸张力的刻蚀阻挡层可提升晶体管载流子的迁移率。

【技术实现步骤摘要】
SRAM器件及其形成方法
本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种SRAM器件及其形成方法。
技术介绍
SRAM器件(StaticRandomAccessMemory)即静态随机存储器，不用刷新电路，速度快，常用于各种集成电路的存储器。图1为一个6TSRAM器件的存储单元的示意图，例如Q1和Q2为PMOS，Q3和Q4为NMOS，T1和T2为两个传输管。其中Q3、Q1的输入端和Q4、Q2的输出端连在一起，Q4、Q2的输入端和Q3、Q1的输出端连在一起，组成一个锁存器。图2为图1中的6TSRAM器件存储单元的局部版图，其中，Q1为第一上拉晶体管，Q2为第二上拉晶体管，01为Q1的多晶硅栅极，02为Q2的多晶硅栅极。随着集成电路线宽的减小，集成度的提高，通常为了缩小SRAM器件版图面积，引入共享接触孔A将Q1的输入端多晶硅栅极01和Q2的输出端源极连在一起。共享接触孔虽然可以节省SRAM器件的面积，但会带来工艺上的问题。在形成共享接触孔刻蚀开孔过程中，覆盖Q2的轻掺杂区的侧墙在刻蚀中易受损伤，很大一部分被刻蚀掉，由于Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有相邻的两晶体管，所述两晶体管均包括多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极两侧的侧墙；其中一个所述晶体管的所述多晶硅栅极和另一个所述晶体管的源极或漏极相邻；所述侧墙下方形成有轻掺杂区；/n形成仅覆盖所述侧墙的保护层；/n形成覆盖所述衬底、所述多晶硅栅极和所述保护层的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层包括氮化硅层；/n形成覆盖所述刻蚀阻挡层的层间介质层；/n刻蚀位于其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上方以及位于另一个所述晶体管的源极或漏极上方的所述层间介质层和所述刻蚀阻挡层形成开孔；刻蚀过程中，所述刻蚀阻挡层与所述保护层刻蚀速率选择...

【技术特征摘要】
1.一种SRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有相邻的两晶体管，所述两晶体管均包括多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极两侧的侧墙；其中一个所述晶体管的所述多晶硅栅极和另一个所述晶体管的源极或漏极相邻；所述侧墙下方形成有轻掺杂区；
形成仅覆盖所述侧墙的保护层；
形成覆盖所述衬底、所述多晶硅栅极和所述保护层的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层包括氮化硅层；
形成覆盖所述刻蚀阻挡层的层间介质层；
刻蚀位于其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上方以及位于另一个所述晶体管的源极或漏极上方的所述层间介质层和所述刻蚀阻挡层形成开孔；刻蚀过程中，所述刻蚀阻挡层与所述保护层刻蚀速率选择比大于1，使所述开孔停止在所述保护层；
刻蚀去除所述开孔暴露出的所述保护层形成共享接触孔，所述共享接触孔停止在其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上表面以及另一个所述晶体管的源极或漏极上表面。


2.如权利要求1所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，所述保护层包括：等离子体增强氧化层、富硅二氧化硅层和正硅酸乙酯二氧化硅层中的任意一种或两种以上的组合。


3.如权利要求2所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，形成所述正硅酸乙酯二氧化硅层的工艺包括：
对正硅酸乙酯液体进行气化处理，产生正硅酸乙酯气体；
将氧气和所述正硅酸乙酯气体通入反应腔室反应；
对所述氧气和所述正硅酸乙酯气体进行解离后反应，生成所述正硅酸乙酯二氧化硅层。


4.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周儒领，蔡君正，詹奕鹏，许宗能，吴佳特，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11