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本发明提供了一种本发明提供的SRAM器件及其形成方法，有选择性的刻蚀所述刻蚀阻挡层和保护层，使保护层在形成开孔的刻蚀过程中能很好的保留，保护层具有高致密性，在形成开孔的过程中可对侧墙起到很好的保护作用。形成共享接触孔后，共享接触孔下方的侧墙...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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