【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。随着半导体技术发展，对存储器件进行更为广泛的应用，需要将所述存储器件与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将所述存储器件内嵌置于中央处理器，则需要使得所述存储器件与嵌入的中央处理器平台进行兼容，并且保持原有的存储器件的规格及对应的电学性能。一般地，需要将所述存储器件与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式半导体器件来说，其通常分为逻辑区和存储区，逻辑区通常包括逻辑器件，存储区则包括存储器件。随着存储技术的发展，出现了各种类型的半导体存储器，例如静态随机随机存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)、动态随机存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，ErasableProg...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括相邻的N型晶体管区和P型晶体管区；/n在所述基底上形成功函数层，所述功函数层包括：形成在P型晶体管区的P型功函数层和形成在N型晶体管区的N型功函数层；/n去除所述N型晶体管区和P型晶体管区交界处的所述功函数层，形成开口；/n形成所述开口后，在所述基底上形成横跨N型晶体管区和P型晶体管区的栅极层，用于与剩余的所述P型功函数层构成P型栅极结构，还用于与剩余的所述N型功函数层构成N型栅极结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相邻的N型晶体管区和P型晶体管区；
在所述基底上形成功函数层，所述功函数层包括：形成在P型晶体管区的P型功函数层和形成在N型晶体管区的N型功函数层；
去除所述N型晶体管区和P型晶体管区交界处的所述功函数层，形成开口；
形成所述开口后，在所述基底上形成横跨N型晶体管区和P型晶体管区的栅极层，用于与剩余的所述P型功函数层构成P型栅极结构，还用于与剩余的所述N型功函数层构成N型栅极结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平行于所述基底表面且垂直于所述N型晶体管区和P型晶体管区交界的方向上，所述开口的宽度为20纳米至30纳米。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述N型晶体管区和P型晶体管区交界处的所述功函数层，形成所述开口。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口的工艺参数包括：刻蚀气体包括BCl3、Cl2、CH4和H2中的一种或多种；气体流量为50sccm至500sccm；腔室压强为5mToor至50mToor。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述功函数层后，形成所述开口前还包括：在所述功函数层上形成栅极结构材料层；形成所述开口的步骤中，还包括刻蚀所述栅极结构材料层，形成第一通槽，所述第一通槽和所述开口连通。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口后，形成栅极层前还包括：在所述第一通槽中形成隔离结构。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成栅极层的步骤包括：在所述栅极结构材料层上形成介电层；去除N型晶体管区和P型晶体管区交界处的所述介电层，形成第二通槽，所述第二通槽露出所述隔离结构以及N型晶体管区和P型晶体管区部分宽度的所述栅极结构材料层；在所述第二通槽中形成导电连接层，所述导电连接层和N型晶体管区中以及P型晶体管区中所述栅极结构材料层共同作为所述栅极层。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述栅极结构材料层延伸方向，所述导电连接层与N型晶体管区中和P型晶体管区中所述栅极结构材料层接触的宽度均为10纳米至50纳米。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构为SRAM器件；
形成所述第二通槽的步骤包括：去除SRAM器件中上拉晶体管和下拉晶体管上的所述介电层，形成所述第二通槽。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成横跨N型晶体管区和P型晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：张毅俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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