【技术实现步骤摘要】
与在电极上形成屏障材料相关的方法和设备
本公开总体上涉及半导体装置和方法，并且更具体地涉及在电极上形成屏障材料以减少电极的氧化。
技术介绍
存储器装置通常以内部半导体集成电路的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和闪存等。一些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如，ReRAM)，并且可以用于需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的各种电子应用。与不需要电源来保留所存储状态的非易失性存储器单元(例如，闪存单元)相比，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电源来保留其所存储数据状态(例如，通过刷新过程)。然而，操作(例如，编程、读取、擦除等)如DRAM单元等各种易失性存储器单元的速度可以比操作如闪存单元等各种非易失性存储器单元的速度快。...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n以半导体制作序列在介电材料(104，204，304，404，504)上形成(752)存储节点(130，132，134)的顶部电极(102，202，302，402，502)；以及/n在半导体制作设备(641)中在所述顶部电极上原位形成(754)屏障材料(115，215，412，522)，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时发生的对所述介电材料的损坏。/n
【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,4871.一种方法，其包括：
以半导体制作序列在介电材料(104，204，304，404，504)上形成(752)存储节点(130，132，134)的顶部电极(102，202，302，402，502)；以及
在半导体制作设备(641)中在所述顶部电极上原位形成(754)屏障材料(115，215，412，522)，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时发生的对所述介电材料的损坏。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成所述屏障材料(115，215，412，522)，以减少在处于所述半导体制作设备(641)的异位位置时发生的所述顶部电极的氧化。
3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于硅前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成硅屏障材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中使所述顶部电极(102，202，302，402，502)暴露于所述硅前体包括使所述顶部电极暴露于基于硅烷的气体。
5.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述硅屏障材料包括使所述顶部电极(102，202，302，402，502)暴露于基于硅烷的气体的多个循环，每个循环形成所述硅屏障材料的亚单层。
6.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述硅屏障材料包括所述顶部电极(102，202，302，402，502)上的所述硅屏障材料的原子层沉积ALD。
7.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成氮化物屏障材料。
8.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于硼前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成硼屏障材料。
9.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于铝前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成铝屏障材料。
10.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中形成所述屏障材料(115，215，412，522)包括通过使所述顶部电极暴露于碳前体来在所述顶部电极(102，202，302，402，502)上形成碳化物屏障材料。
11.一种设备，其包括：
顶部电极(102，202，302，402，502)；
屏障材料(11...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·S·凯尔科，AJ·B·程，金道俊，C·W·佩茨，M·N·洛克莱，B·D·克劳斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。