半导体结构及其制作方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能部的侧壁外。半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外具有空气隙，能够有效降低寄生电容，同时空气隙的制备步骤少，工艺简单，能够很好地降低成本、提高产率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法
本公开涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其制作方法，特别是一种半导体存储器及电子设备。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)的主要特性中有与数据感应裕度(DataSensingMargin)密切相关的位线、金属线等线形功能部的电容特性。虽然DRAM的尺寸不断缩小，但感应裕度必须尽可能保持上一代的水平，为此线形功能部的电容特性也需要继续降低。决定线形功能部的电容特性的主要因素是线形功能部的侧壁的厚度和介电率。现有技术的线形功能部的侧壁一般采用三层结构，例如SiN/氧化物/SiN三层结构等，但现有侧壁的寄生电容仍然较高，为此需要将侧壁制造空气隙(AirGap)来进一步降低寄生电容，然而目前空气隙的制造工艺步骤多、难度高。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种半导体结构及其制作方法、一种半导体存储器及一种电子设备。本公开第一方面提供一种半导体结构，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；分别位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n半导体基底；/n位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；/n分别位于所述线形功能部的两侧壁外侧的空气隙；/n其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，构成“L”型的垂直截面形状。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体基底；
位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；
分别位于所述线形功能部的两侧壁外侧的空气隙；
其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，构成“L”型的垂直截面形状。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述侧壁包括最外侧的氮化硅层。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
还包括位于所述空气隙竖直部分上方的上侧墙。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于：
所述上侧墙为氧化物。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
还包括位于所述空气隙外侧的外侧墙，所述外侧墙的内侧面限定出空气隙的外侧面。


6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：
所述外侧墙包括第一外侧墙和第二外侧墙；
所述第一外侧墙位于空气隙的竖直部分的外侧；
所述第二外侧墙包括竖直部分和水平部分，其中竖直部分位于第一外侧墙和空气隙的水平部分的外侧，水平部分的一端与竖直部分相连为一体，另一端与相邻的位线结构的第二外侧墙的水平部分相连为一体。


7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：
所述外侧墙为氮化硅。


8.根据权利要求1-7任意一项所述的半导体结构，其特征在于：
所述线形功能部为位线结构或金属线结构。


9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：
所述半导体结构为动态随机存取存储器。


10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇泳，周娜，李俊杰，李琳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11