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本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。