半导体器件制造技术

该实用新型专利技术涉及一种半导体器件，能够解决形成在通孔内的器件容易掉落的问题，提高最终出产的产品的良率。其中，所述半导体器件包括衬底；形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层；至少两个通孔，一端设置在最上方的支撑层的上表面，并沿垂直于所述衬底表面的方向向下延伸，且存在至少两个通孔的长度不同；所述支撑层的分布沿垂直所述衬底表面的方向向下逐渐稀疏。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体领域，具体涉及一种半导体器件。
技术介绍
在晶圆生产加工的过程中，经常出现在衬底表面形成堆叠结构，并在堆叠结构内形成进入堆叠结构内部的通孔的操作，这些通孔可以用来形成一些进入堆叠结构的器件，以实现特定的功能，例如存储器的电容，就是在电容孔的基础上生产的。所述电容孔经过数层支撑层，由所述电容孔经过的支撑层给予所述电容孔内的电容器件以支撑，防止电容器件发生掉落，影响最终出产的存储器的良率。然而，现有技术中，即使设置了支撑层，还是会出现通孔内形成的器件发生掉落的情况。这将严重影响最后出产的产品的良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体器件，能够解决形成在通孔内的器件容易掉落的问题，提高最终出产的产品的良率。为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导体器件，包括：衬底；形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层；至少两个通孔，一端设置在最上方的支撑层的上表面，并沿垂直于所述衬底表面的方向向下延伸，且存在至少两个通孔的长度不同；所述支撑层的分布沿垂直所述衬底表面的方向向下逐渐稀疏。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层；/n至少两个通孔，一端设置在最上方的支撑层的上表面，并沿垂直于所述衬底表面的方向向下延伸，且存在至少两个通孔的长度不同；/n所述支撑层的分布沿垂直所述衬底表面的方向向下逐渐稀疏。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层；
至少两个通孔，一端设置在最上方的支撑层的上表面，并沿垂直于所述衬底表面的方向向下延伸，且存在至少两个通孔的长度不同；
所述支撑层的分布沿垂直所述衬底表面的方向向下逐渐稀疏。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑层的数目为4层以上，且各个支撑层之间以介质层隔开，且最上方的支撑层的下表面，与最下方的支撑层的上表面之间的距离为最大距离。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，距离最下方的支撑层最近的一中间支撑层，其与最下方的支撑层之间的距离为所述最大距离的一半。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，距离最下方的支撑层最近的一中间支撑层，其与最下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴从军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34