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半导体器件制造技术
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文档序号:26246856
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该实用新型涉及一种半导体器件,能够解决形成在通孔内的器件容易掉落的问题,提高最终出产的产品的良率。其中,所述半导体器件包括衬底;形成于所述衬底上方的至少三层层叠设置的支撑层;至少两个通孔,一端设置在最上方的支撑层的上表面,并沿垂直于所述衬底...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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