【技术实现步骤摘要】
用于形成集成电路的方法
本文中所公开的实施例涉及用于形成集成电路的方法，所述集成电路例如存储器电路。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个体存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，并且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线和存取线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器是耗散的，并且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以至少两个不同可选状态保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个体存储器单元可经配置以存储两...
【技术保护点】
1.一种用于形成集成电路的方法，其包括：/n形成衬底，所述衬底包括导线结构，所述导线结构包括相对的纵向侧，所述相对的纵向侧分别地包括横向地在绝缘体材料之间的牺牲材料，所述牺牲材料包括金属氧化物；/n移除所述牺牲材料中的至少一些以形成在所述导线结构的所述相对的纵向侧上横向地在所述绝缘体材料之间的向上开口的空隙空间；以及/n用绝缘材料覆盖所述空隙空间以在所述导线结构的所述相对的纵向侧上在所述绝缘材料下方留下密封的空隙空间。/n
【技术特征摘要】
20190430 US 16/399,3481.一种用于形成集成电路的方法，其包括：
形成衬底，所述衬底包括导线结构，所述导线结构包括相对的纵向侧，所述相对的纵向侧分别地包括横向地在绝缘体材料之间的牺牲材料，所述牺牲材料包括金属氧化物；
移除所述牺牲材料中的至少一些以形成在所述导线结构的所述相对的纵向侧上横向地在所述绝缘体材料之间的向上开口的空隙空间；以及
用绝缘材料覆盖所述空隙空间以在所述导线结构的所述相对的纵向侧上在所述绝缘材料下方留下密封的空隙空间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氧化物的所述金属包括Sn、Ga、Ge、Se、In、Te、Bi、V、Sr、Nb、Ta、Mg、P、W、La和Ba中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属氧化物的所述金属包括Sn、Ga、Ge、Se、In、Te、Bi、V、Sr、Nb、Ta、Mg、P、W、La和Ba中的至少两个。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料基本上由所述金属氧化物组成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料由所述金属氧化物组成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料在所述牺牲材料的两侧上是相同组成的。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料是导电的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除是移除横向地在所述绝缘体之间的所有的所述牺牲材料。
9.一种用于形成集成电路的方法，其包括：
形成衬底，所述衬底包括导线结构，所述导线结构分别地包括相对的纵向侧，所述相对的纵向侧分别地包括横向地在绝缘体材料之间的牺牲材料，所述牺牲材料包括金属氧化物；
形成横向地在所述导线结构之间并且沿着所述导线结构纵向地间隔开的导电通孔；
在所述导电通孔正上方且直接抵靠所述导电通孔并且在所述导线结构正上方形成导电材料；
蚀刻穿过所述导电材料到所述导线结构以暴露所述牺牲材料；
移除所述牺牲材料中的至少一些以形成在所述导线结构的个体的所述相对的纵向侧上横向地在所述绝缘体材料之间的向上开口的空隙空间；以及
用绝缘材料覆盖所述空隙空间以在所述个体导线结构的所述相对的纵向侧上在所述绝缘材料下方留下密封的空隙空间。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述集成电路包括存储器电路，并且所述导线结构是所述存储器电路的数字线结构。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻形成分别地直接电耦合到所述导电通孔的个体的所述导电材料的岛状物。
12.根据权利要求11所述的方法，其包括形成分别地直接电耦合到所述岛状物的个体的多个存储元件。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述移除是移除横向地在所述绝缘体材料之间的所有的所述牺牲材料。
14.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻到所述导线结构中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻到所述导线结构的最上部部分中。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻到所述导线结构的所述绝缘体材料中。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻到所述导线结构的所述牺牲材料中。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，
其中所述蚀刻到所述导线结构的所述绝缘体材料中；以及
所述蚀刻到所述导线结构的所述牺牲材料中。
19.一种用于形成存储器电路的方法，其包括：
形成晶体管，所述晶体管分别地包括：
一对源极/漏极区；
沟道区，其在所述对的源极/漏极区之间；
导电栅极，其以操作方式接近所述沟道区；以及
栅极绝缘体，其在所述导电栅极与所述沟道区之间；
形成数字线结构，所述数字线结构分别地直...
【专利技术属性】
技术研发人员：金柄徹，R·J·希尔，J·A·斯迈思，G·S·桑胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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