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本申请涉及一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括形成衬底，所述衬底包括导线结构，所述导线结构包括相对的纵向侧，所述相对的纵向侧分别地包括横向地在绝缘体材料之间的牺牲材料。所述牺牲材料包括金属氧化物。所述牺牲材料中的至少一些被移除以形成在所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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