【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其制造方法
本公开涉及一种集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法，更具体地，涉及一种包括电容器结构的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。
技术介绍
随着集成电路器件的按比例缩小，动态随机存取存储器(DRAM)器件的电容器结构的尺寸也减小。随着电容器结构的尺寸减小，已经提出形成处于具有高介电常数的晶相的电容器电介质层的方法以增大电容器结构的电容。然而，由于底电极的高宽比也已经随着电容器结构的尺寸的减小而增大，所以在形成底电极的导电层期间可能在该导电层内形成空隙或接缝，这样的空隙和接缝可能导致DRAM器件的电性能的变差。
技术实现思路
本公开提供一种包括电容器结构的集成电路器件，该电容器结构包括具有相对高的介电常数的电容器电介质层、甚至同时包括没有空隙或接缝的底电极。本公开还提供一种制造集成电路器件的方法，该方法允许形成没有空隙或接缝的底电极并允许形成具有相对高的介电常数的电容器电介质层。根据本专利技术构思的一些方面，提供一种包括电容器结构的集成电路器件，其中该电容器结构...
【技术保护点】
1.一种包括电容器结构的集成电路器件，其中所述电容器结构包括：/n在基板之上的底电极；/n在所述底电极的侧壁上的支撑物；/n在所述底电极和所述支撑物上的电介质层；以及/n在所述电介质层上并覆盖所述底电极的顶电极，并且/n其中所述底电极包括：/n基底电极层，在所述基板之上并在垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸；以及/n包括铌氮化物的导电覆盖层，在所述基底电极层的侧壁与所述电介质层之间以及在所述基底电极层的顶表面与所述电介质层之间。/n
【技术特征摘要】
20190611 KR 10-2019-00688051.一种包括电容器结构的集成电路器件，其中所述电容器结构包括：
在基板之上的底电极；
在所述底电极的侧壁上的支撑物；
在所述底电极和所述支撑物上的电介质层；以及
在所述电介质层上并覆盖所述底电极的顶电极，并且
其中所述底电极包括：
基底电极层，在所述基板之上并在垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸；以及
包括铌氮化物的导电覆盖层，在所述基底电极层的侧壁与所述电介质层之间以及在所述基底电极层的顶表面与所述电介质层之间。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述基底电极层包括钛氮化物或钨，并且其中所述电介质层的与所述导电覆盖层接触的部分包括具有四方晶相的铪氧化物。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述基底电极层与所述电介质层隔离。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述基底电极层包括第一侧壁和第二侧壁，其中所述第一侧壁被所述支撑物围绕，并且其中所述第二侧壁被所述导电覆盖层围绕。
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述基底电极层的所述第一侧壁和所述第二侧壁是共平面的。
6.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述基底电极层的所述第二侧壁相对于所述基底电极层的所述第一侧壁向内凹陷。
7.一种包括电容器结构的集成电路器件，其中所述电容器结构包括：
在基板之上的底电极；
在所述底电极的侧壁上的支撑物；
在所述底电极和所述支撑物上的电介质层；以及
在所述电介质层上并覆盖所述底电极的顶电极，
其中所述底电极包括：
基底电极层，包括铌氮化物并在垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸；和
第一籽晶层，被所述支撑物围绕并与所述基底电极层的至少一部分接触。
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述底电极还包括在所述基底电极层的底表面与所述基板之间的第二籽晶层，并且其中所述第一籽晶层和所述第二籽晶层中的每个包括钛氮化物或钨。
9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中所述基底电极层包括第一侧壁和第二侧壁，其中所述基底电极层的所述第一侧壁被所述第一籽晶层围绕，并且其中所述基底电极层的所述第二侧壁被所述电介质层围绕。
10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述基底电极层的所述第一侧壁和所述第二侧壁是共平面的。
11.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述基底电极层与所述支撑物隔离，并且其中所述第一籽晶层在所述基底电极层的所述第一侧壁与所述支撑物的侧壁之间。
12.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述基底电极层包括：第一基底电极层；和第二基底电极层，在所述第一基底电极层之上并在所述第一方向上与所述第一基底电极层间隔开，
其中所述第一籽晶层在所述第一基底电极层和所述第二基底电极层之间；
其中第二籽晶层在所述第二基底电极层的侧壁上并被所述支撑物围绕，并且
其中所述第一籽晶层和所述第二籽晶层中的每个包括钛氮化物或钨。
13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中所述第二基底电极层包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜埈求，李炫锡，赵基熙，安相赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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