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本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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