存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器，直接利用位线结构界定出若干节点接触窗，由于此时节点接触窗的高度较低，深宽比较小，在节点接触窗中形成第一电性传输层时，对第一电性传输层的形成工艺要求较小；形成第一电性传输层之后再形成间隔图案，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，开口至少露出第一电性传输层的部分顶部，形成第二电性传输层于开口中，由于此时开口的高度较低，深宽比较小，在开口中形成第二电性传输层时，对第二电性传输层的形成工艺要求也较小，并且，将第二电性传输层与第一电性传输层电性连接后构成节点接触结构，在此步骤中不会对存储器造成不良影响。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种存储器。
技术介绍
存储器，例如动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器还具有多条位线结构，每一位线结构分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括电容结构，所述电容结构用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述电容结构，从而实现各个存储单元的存储功能。目前，所述存储器的形成方法包括：在衬底上形成堆叠的位线导电层、位线遮蔽层及介质层并图形化，剩余的位线导电层和位线遮蔽层构成位线结构，剩余的介质层构成绝缘图案，利用所述位线结构及绝缘图案界定出节点接触窗；然后在所述节点接触窗中填充导电材料，所述导电材料还延伸所述绝缘图案；最后刻蚀导电材料形成若干开口，以将所述导电材料间隔为若干节点接触结构。所述绝缘图案用于在刻蚀导电材料形成所述开口时保护所述位线结构，防止所述位线结构被刻蚀损伤，但同时所述绝缘图案会增加节点接触窗的高度，使得从而节本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层；/n第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；/n第二电性传输层，覆盖所述第一电性传输层的部分顶部及所述位线遮蔽层的部分顶部并与所述第一电性传输层电性连接；以及，/n间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的剩余顶部及所述第一电性传输层的剩余顶部，以间隔相邻的第二电性传输层。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底；
多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层；
第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；
第二电性传输层，覆盖所述第一电性传输层的部分顶部及所述位线遮蔽层的部分顶部并与所述第一电性传输层电性连接；以及，
间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的剩余顶部及所述第一电性传输层的剩余顶部，以间隔相邻的第二电性传输层。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电性传输层完全填充所述节点接触窗，其中，所述第二电性传输层的底部与所述位线遮蔽层的顶部齐平。


3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述间隔图案包括绝缘材料层。


4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述间隔图案还包括缓冲材料层，所述缓冲材料层位于所述绝缘材料层与所述第一电性传输层之间以及位于所述绝缘材料层与所述位线遮蔽层之间。


5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为与所述位线遮蔽层具有刻蚀选择比的材料。


6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为导电材料，且所述存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，詹益旺，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35