包括磁性压持层的半导体设备制造技术

本发明专利技术题为“包括磁性压持层的半导体设备”。本发明专利技术公开了一种半导体设备，所述半导体设备包括安装在基板上的一个或多个半导体管芯。每个半导体管芯可在所述半导体管芯的下部失活表面上形成有铁磁层。所述铁磁层在制造期间将所述半导体管芯下拉到彼此和所述基板上，以防止所述管芯翘曲。所述铁磁层还平衡所述管芯层之间的热膨胀系数的不匹配，从而进一步防止所述管芯翘曲。

【技术实现步骤摘要】
包括磁性压持层的半导体设备
技术介绍
便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储器设备诸如闪存存储卡已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。此类存储器设备的设计具有便携性、多功能性且坚固耐用，加上它们的高可靠性和大容量，使得它们成为用于各种电子设备的理想选择，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制器、PDA、蜂窝电话和固态驱动器。虽然已知许多不同的封装配置，但是闪存存储卡通常可以被制造为系统级封装(SiP)或多芯片模块(MCM)，其中多个管芯被安装并互连在小占有面积的基板上。基板通常可以包括刚性的电介质基部，该电介质基部具有在一侧或两侧上蚀刻的导电层。在管芯与导电层之间形成电连接，并且导电层提供用于将管芯连接到主机设备的电引线结构。一旦进行管芯与基板之间的电连接，然后就通常将组件封装在提供保护包装的模塑化合物中。为了最有效地使用封装占用面积，已知的是将半导体管芯堆叠在彼此的顶部。为了在半导体管芯上获得接合焊盘，将管芯彼此完全重叠地堆叠(相邻管芯之间具有间隔层)或者偏移地堆叠。在偏移配置中，将管芯堆叠在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：/n基板；和/n多个半导体管芯，所述多个半导体管芯堆叠在所述基板上并且彼此阶梯式偏移，每个半导体管芯包括：/n一组管芯接合焊盘，所述一组管芯接合焊盘在所述管芯的第一表面上，和/n铁磁层，所述铁磁层在所述管芯的第二表面上，所述半导体管芯的所述铁磁层被配置成朝向所述基板牵拉所述多个半导体管芯并平衡所述多个半导体管芯的管芯层中的热膨胀系数的不匹配。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：
基板；和
多个半导体管芯，所述多个半导体管芯堆叠在所述基板上并且彼此阶梯式偏移，每个半导体管芯包括：
一组管芯接合焊盘，所述一组管芯接合焊盘在所述管芯的第一表面上，和
铁磁层，所述铁磁层在所述管芯的第二表面上，所述半导体管芯的所述铁磁层被配置成朝向所述基板牵拉所述多个半导体管芯并平衡所述多个半导体管芯的管芯层中的热膨胀系数的不匹配。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层是连续平坦层。


3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层被图案化成包括空隙。


4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层的厚度为1μm至2μm。


5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层包括铁、钢、不锈钢、镍、钴和石墨烯中的一种。


6.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括用于将所述多个管芯粘附到彼此和所述基板的多个管芯附接膜层。


7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中每个半导体管芯包括集成电路层和介电层，所述集成电路层设置在所述介电层的第一侧上，并且所述铁磁层设置在所述介电层的第二侧上。


8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中所述集成电路层和所述铁磁层的热膨胀系数大于所述介电层的热膨胀系数。


9.根据权利要求7所述的半导体设备，其中每个半导体管芯还包括钝化/聚酰亚胺层，所述钝化/聚酰亚胺层设置在所述介电层的所述第一侧上。


10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述钝化/聚酰亚胺层和所述铁磁层的热膨胀系数大于所述介电层的热膨胀系数。


11.一种半导体设备，包括：
基板；和
多个半导体管芯，所述多个半导体管芯堆叠在所述基板上，每个半导体管芯包括：
集成电路层；
介电层；和
铁磁层，所述集成电路层设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘扬名，叶宁，杨波，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US