用于在半导体结构上外延生长的系统、设备和方法技术方案

本公开描述与在半导体结构上外延生长有关的系统、设备和方法。一种设备可包含衬底材料的工作表面，以及连接到所述工作表面上的存取装置的有源区域的存储节点。所述设备还可包含在所述存储节点触点上方外延地生长以围封所述存储节点触点与穿过感测线之间的非实心空间的材料。

【技术实现步骤摘要】
用于在半导体结构上外延生长的系统、设备和方法
本公开大体上涉及半导体装置和方法，且更具体地说，涉及半导体结构上的外延生长。
技术介绍
通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)以及快闪存储器等。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如ReRAM)，且可用于需要高存储器密度、高可靠性和低功耗的广泛范围的电子应用。相对于在不通电的情况下保持其所存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其所存储数据状态(例如，经由刷新过程)。然而，例如DRAM单元的各种易失性存储器单元可比例如快闪存储器单元的各种非易失性存储器单元更快地操作(例如编程、读取、擦除等)。>
技术实现思路
...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n衬底材料(124，224)的工作表面；/n存储节点触点(108，208)，其连接到所述工作表面上的存取装置(123)的有源区域(116，216)；以及/n材料(211)，其在所述存储节点触点(108，208)上方外延地生长，以围封所述存储节点触点(108，208)与穿过感测线(104，204)之间的非实心空间(205)。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 16/445,5071.一种设备，其包括：
衬底材料(124，224)的工作表面；
存储节点触点(108，208)，其连接到所述工作表面上的存取装置(123)的有源区域(116，216)；以及
材料(211)，其在所述存储节点触点(108，208)上方外延地生长，以围封所述存储节点触点(108，208)与穿过感测线(104，204)之间的非实心空间(205)。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述外延生长的材料(211)外延地生长到密封所述非实心空间(205)的宽度的宽度。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述外延生长的材料(211)是锗(Ge)。


4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储节点触点(108，208)由多晶硅形成。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述非实心空间(205)包含在30-50埃的范围内的宽度。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储节点触点(108，208)形成到在10-30纳米(nm)的范围内的宽度。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述外延生长的材料(211)外延地生长到在20-50纳米(nm)的范围内的高度。


8.根据权利要求1所述的设备，其中电介质材料(203)形成于所述存储节点触点(108，208)的侧面。


9.根据权利要求8所述的设备，其中形成于所述存储节点触点(108，208)的所述侧面的所述电介质材料(203)的高度小于所述存储节点触点(108，208)的高度。


10.根据权利要求1所述的设备，其中所述外延生长的材料(211)在多个方向上外延生长。


11.根据权利要求1所述的设备，其中所述外延生长的材料(211)在多晶硅上选择性地外延生长。


12.根据权利要求1所述的设备，其中在原位控制所述外延生长的材料(211)的所述外延生长的速度。


13.根据权利要求1所述的设备，其中在原位控制所述外延生长的材料(211)的所述外延生长的形状。


14.一种方法(342)，其包括：
在衬底材料(124，224)的工作表面上形成存储节点触点(108，208)；
形成邻近于所述存储节点触点(108，208)的穿过感测线(104，204)；以及
在所述存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨广军，N·R·塔皮亚斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US