制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法，包括在设置于半导体层上的栅极间隔物的侧壁上形成牺牲层、在设置于栅极间隔物之间的第一沟槽中的半导体层上形成第一含铪栅极介电层、移除牺牲层以在栅极间隔物与第一含铪栅极介电层之间形成第二沟槽、在第一含铪栅极介电层上及栅极间隔物的侧壁上形成第二含铪栅极介电层、对第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层执行退火并同时施加电场，以及随后在退火过的第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层上形成栅极电极。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本公开涉及半导体装置的制造方法，尤其涉及在半导体装置中制造高k值金属栅极的方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit,IC)工业已经历了指数性的成长。IC的材料及设计在技术上的进步已经产生了好几世代的IC，其中每一代比起前一代，都具有更小、更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(functionaldensity,例如：每单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加，而几何尺寸(例如：使用制造工艺所能产生的最小组件(或线路))则会缩小。这种微缩的过程通常会通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。这种微缩也增加了IC工艺及制造的复杂性。且为了实现这些进步，在IC工艺及制造上也需要有着相似的发展。举例来说，高k值金属栅极(HKMG)被以多种先进材料制造，以在降低长度尺寸的情况下改善速度及可靠性。尽管用于形成HKMG的方法大致上已能满足需求，但这些方法并非在所有方面都是令人完全满意的。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种制造半导体装置的方法，以解决上述至少一个问题。本公开实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，包括：/n在设置于一半导体层上的多个栅极间隔物的多个侧壁上，形成一牺牲层；/n在设置于上述栅极间隔物之间的一第一沟槽中的上述半导体层上，形成一第一含铪栅极介电层；/n移除上述牺牲层，以在上述栅极间隔物与上述第一含铪栅极介电层之间形成一第二沟槽；/n在上述第一含铪栅极介电层上及上述栅极间隔物的上述侧壁上，形成一第二含铪栅极介电层；/n对上述第一含铪栅极介电层及上述第二含铪栅极介电层执行退火，其中上述执行的退火包括同时施加一电场；以及/n在退火过的上述第一含铪栅极介电层及上述第二含铪栅极介电层上形成一栅极电极。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 16/454,8541.一种制造半导体装置的方法，包括：
在设置于一半导体层上的多个栅极间隔物的多个侧壁上，形成一牺牲层；
在设置于上述栅极间隔物之间的一第一沟槽中的上述半导体层上，形成一第一含铪栅极介电层；
移除上述牺牲层，以在上述栅极间...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政明，杨世海，徐志安，方子韦，赵皇麟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71