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一种制造半导体装置的方法，包括在设置于半导体层上的栅极间隔物的侧壁上形成牺牲层、在设置于栅极间隔物之间的第一沟槽中的半导体层上形成第一含铪栅极介电层、移除牺牲层以在栅极间隔物与第一含铪栅极介电层之间形成第二沟槽、在第一含铪栅极介电层上及栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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