一种降低trench DMOS栅电容的制造方法技术

本发明专利技术公开一种降低trench DMOS栅电容的制造方法，属于半导体功率器件技术领域。在高密度低导通电阻的分离栅器件基础上，在trench结构中间插入氧化层，其厚度为

【技术实现步骤摘要】
一种降低trenchDMOS栅电容的制造方法
本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种降低trenchDMOS栅电容的制造方法。
技术介绍
VDMOS是一种新型半导体功率器件，和双极型功率器件性能相比，具有导通损耗低，工作频率高，电压控制型器件，控制电路简单等优点，越来越受到工业界的重视。系列化产品广泛地应用于锂电保护、电源管理、同步整流、电动自行车、马达驱动、LCD显示、电机控制、音频放大、高频振荡器、不间断电源、车灯控制、发动机启动器等各种电力电子系统。随着VDMOS产品应用领域的不断扩大，器件所需的性能和可靠性要求就越来越高。VDMOS器件重要的性能指标参数FOM(figureofmerit)为Qg*Ron(栅电荷和导通电阻乘积)。此参数表征器件在开关和导通过程中，功率损耗主要来自开关损耗和通态电阻损耗。开关损耗主要于器件在开关过程中，对栅充放电过程中功率损耗，特别对于高频器件来说，此步损耗尤为显著。普通trenchDMOS器件截面如图1所示，TrenchDMOS相比平面DMOS有工艺结构简单，原胞密度高，导通电阻低的优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低trench DMOS栅电容的制造方法，其特征在于，包括：/n在trench结构中插入氧化层，其厚度为

【技术特征摘要】
1.一种降低trenchDMOS栅电容的制造方法，其特征在于，包括：
在trench结构中插入氧化层，其厚度为


2.如权利要求1所述的降低trenchDMOS栅电容的制造方法，其特征在于，通过如下方法在trench槽中插入氧化层：
在外延片上生长第一氧化硅层并淀积第一氮化硅层，挖出合适形貌和深度的trench结构；
在trench结构中依次淀积第二氧化硅层和第二氮化硅层，刻蚀掉trench结构底部的第二氮化硅层；
在trench结构中填满氧化层并磨平表面；
去除第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层、第二氮化硅层。


3.如权利要求2所述的降低trenchDMOS栅电容的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为所述第一氮化硅层的厚度为


4.如权利要求3所述的降低trenchDMOS栅电容的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度大于所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层。


5.如权利要求2所述的降低trenchDMOS栅电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，徐政，吴锦波，徐海铭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32