半导体装置和制造该半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括：在基板上形成包括水平凹部的叠层结构；形成阻挡层作为水平凹部的内衬；在阻挡层上形成包括介电阻隔元件和导电阻隔元件的界面控制层；以及在界面控制层上形成导电层以填充水平凹部。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造该半导体装置的方法
本公开的示例性实施方式涉及一种制造半导体装置的方法，更具体地，涉及一种垂直半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。
技术介绍
已提出包括以三维方式垂直布置的存储器单元的垂直半导体装置以提高半导体装置的集成度。
技术实现思路
本公开的实施方式涉及能够防止导电材料和介电材料之间的相互作用的垂直半导体装置，以及制造该垂直半导体装置的方法。根据一个实施方式，一种制造半导体装置的方法包括：在基板上形成包括水平凹部的叠层结构；形成作为水平凹部的内衬的阻挡层；在阻挡层上形成包括介电阻隔元件和导电阻隔元件的界面控制层；以及在界面控制层上形成导电层以填充水平凹部。根据另一实施方式，一种半导体装置包括：叠层结构，该叠层结构包括彼此垂直间隔开的多个水平凹部；阻挡层，该阻挡层形成水平凹部的内衬；以及栅极结构，该栅极结构设置在水平凹部内并且覆盖阻挡层，其中，栅极结构包括：界面控制层，该界面控制层覆盖阻挡层，该界面控制层包括导电阻隔元件和介电阻隔元件；以及栅极，该栅极填充在水平凹部内并且位于界面控制层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：/n在基板上形成包括水平凹部的叠层结构；/n形成作为所述水平凹部的内衬的阻挡层；/n在所述阻挡层上形成包括介电阻隔元件和导电阻隔元件的界面控制层；以及/n在所述界面控制层上形成导电层以填充所述水平凹部。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00679941.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成包括水平凹部的叠层结构；
形成作为所述水平凹部的内衬的阻挡层；
在所述阻挡层上形成包括介电阻隔元件和导电阻隔元件的界面控制层；以及
在所述界面控制层上形成导电层以填充所述水平凹部。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制层的步骤包括以下步骤：
在所述阻挡层上形成介电阻隔层；以及
在所述介电阻隔层上形成导电阻隔层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制层的步骤包括以下步骤：
在所述阻挡层上形成包括多个具有不同氧含量的层的介电阻隔层；以及
在所述介电阻隔层上形成导电阻隔层。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制层的步骤包括以下步骤：
在所述阻挡层上形成初始阻隔材料；
将所述初始阻隔材料暴露于氧化工艺中以形成第一导电阻隔层和在所述第一导电阻隔层上的介电阻隔层；以及
在所述介电阻隔层上形成第二导电阻隔层。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氧化工艺氧化所述初始阻隔材料的表面。


6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氧化工艺非原位执行或原位执行。


7.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成所述初始阻隔材料的腔室中原位执行所述氧化工艺。


8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：严炯禹，沈正明，杨永镐，李洸旭，崔原俊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR