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本发明公开一种降低trench DMOS栅电容的制造方法，属于半导体功率器件技术领域。在高密度低导通电阻的分离栅器件基础上，在trench结构中间插入氧化层，其厚度为...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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