图案形成方法、集成电路器件和集成电路器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。

【技术实现步骤摘要】
图案形成方法、集成电路器件和集成电路器件制造方法
本专利技术构思涉及形成图案的方法、集成电路器件和制造该集成电路器件的方法，更具体地，涉及在具有彼此不同的图案密度的多个区域中形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。
技术介绍
近来，随着集成电路器件的按比例缩小迅速发展，集成电路器件的特征尺寸小型化，并且构成集成电路器件的图案的线宽逐渐减小。因此，当同时形成具有集成电路器件所需的各种形状、各种尺寸和各种密度的图案时，工艺难度增大。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种形成图案的方法以及通过使用该形成图案的方法制造集成电路器件和/或半导体器件的方法，该形成图案的方法在同时在多个区域中形成具有各种形状、各种尺寸和各种密度的图案时抑制工艺困难并提高工艺裕度。本专利技术构思提供通过这些方法制造的集成电路器件。在根据本专利技术构思的一方面的形成图案的方法中，在包括第一区域和第二区域的衬底上形成目标层。在第一区域和第二区域中，在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构。在第一区域和第二区域中，在硬掩模结构上形成光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成图案的方法，所述方法包括：/n在包括第一区域和第二区域的衬底上形成目标层；/n在所述第一区域和所述第二区域中在所述目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；/n在所述第一区域和所述第二区域中在所述硬掩模结构上形成光致抗蚀剂层；/n通过曝光和显影所述光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括在所述第一区域中的第一光致抗蚀剂图案和在所述第二区域中的第二光致抗蚀剂图案；/n通过将所述光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层上，在所述第一区域和所述第二区域中形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；/n通过用间隙填充硬掩模图案材料填充所述多个开口中的形成在所述第...

【技术特征摘要】
20190626 KR 10-2019-00766831.一种形成图案的方法，所述方法包括：
在包括第一区域和第二区域的衬底上形成目标层；
在所述第一区域和所述第二区域中在所述目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；
在所述第一区域和所述第二区域中在所述硬掩模结构上形成光致抗蚀剂层；
通过曝光和显影所述光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括在所述第一区域中的第一光致抗蚀剂图案和在所述第二区域中的第二光致抗蚀剂图案；
通过将所述光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层上，在所述第一区域和所述第二区域中形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；
通过用间隙填充硬掩模图案材料填充所述多个开口中的形成在所述第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及
通过在所述第一区域中将所述间隙填充硬掩模图案的形状转印到所述目标层并且通过在所述第二区域中将所述可逆硬掩模图案的形状转印到所述目标层，在所述目标层中形成特征图案。


2.根据权利要求1所述的方法，其中
形成所述光致抗蚀剂图案包括将所述光致抗蚀剂层暴露于极紫外光图案。


3.根据权利要求1所述的方法，其中
所述第一区域中的所述特征图案的密度大于所述第二区域中的所述特征图案的密度。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述特征图案包括在所述第一区域中的第一图案和在所述第二区域中的第二图案，
所述第一图案包括彼此分开并按规则的顺序布置的多个岛图案，以及
所述第二图案包括多个线图案，所述多个线图案具有不同的宽度和不同的长度并且彼此分开且在其间具有不同的距离。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，
在形成所述目标层期间，所述目标层的在所述第一区域中的部分的顶表面的第一水平不同于所述目标层的在所述第二区域中的部分的顶表面的第二水平。


6.根据权利要求1所述的方法，其中
所述多个硬掩模层包括在所述目标层和所述可逆硬掩模层之间的主硬掩模层，
所述主硬掩模层和所述可逆硬掩模层包括从多晶硅层、硅氧化物层、硅氮化物层和非晶碳层选择的彼此不同的材料层，并且所述间隙填充硬掩模图案通过以旋涂工艺在所述第一区域中的所述开口中填充所述间隙填充硬掩模图案材料而形成。


7.一种形成图案的方法，所述方法包括：
在包括第一区域和第二区域的衬底上形成目标层；
在所述目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；
在所述硬掩模结构上形成光致抗蚀剂层；
通过对所述光致抗蚀剂层使用一次曝光工艺，在所述第一区域中在所述硬掩模结构上形成第一光致抗蚀剂图案并且在所述第二区域中在所述硬掩模结构上形成第二光致抗蚀剂图案；以及
由所述目标层形成第一图案和第二图案，
其中，所述第一图案形成在所述第一区域中并且具有相对于所述第一光致抗蚀剂图案相反的平面图案，以及
其中，所述第二图案形成在所述第二区域中并且具有与所述第二光致抗蚀剂图案相同的平面图案。


8.根据权利要求7所述的方法，其中
形成所述硬掩模结构包括：
在所述第一区域和所述第二区域中，在所述目标层上形成底部硬掩模层；
在所述第一区域和所述第二区域中，在所述底部硬掩模层上形成主硬掩模层；以及
在所述第一区域和所述第二区域中，在所述主硬掩模层上形成可逆硬掩模层，
其中，所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案形成在所述可逆硬掩模层上。


9.根据权利要求8所述的方法，其中
所述底部硬掩模层包括在所述第一区域和所述第二区域中依次形成在所述目标层上的第一底部硬掩模层和第二底部硬掩模层，以及
所述主硬掩模层、所述第一底部硬掩模层和所述第二底部硬掩模层包括彼此不同的材料。


10.根据权利要求8所述的方法，其中
形成所述第一图案和所述第二图案包括：
通过凭借使用所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述可逆硬掩模层，在所述第一区域和所述第二区域中形成包括多个开口的可逆硬掩模图案，所述多个开口暴露所述主硬掩模层的一些区域；
通过用间隙填充硬掩模图案材料填充所述多个开口中的形成在所述第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案，所述间隙填充硬掩模图案材料没有被填充在所述多个开口中的形成在所述第二区域中的开口中；
通过凭借使用所述间隙填充硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述主硬掩模层的在所述第一区域中的部分，在所述第一区域中形成第一主硬掩模图案；
通过凭借使用所述可逆硬掩模图案的在所述第二区域中的部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述主硬掩模层的在所述第二区域中的部分，在所述第二区域中形成第二主硬掩模图案；
通过凭借使用所述第一主硬掩模图案和所述第二主硬掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东俊，金根楠，金大铉，朴台镇，韩成熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR