一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法及其产品和用途技术

本发明专利技术提供一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法和用途。所述电极的制备方法包括以下步骤：(1)将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤，形成电子束抗蚀剂层；设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形；(2)按步骤(1)设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光，并经过显影、定影、蒸镀电极，得到尺寸在10nm以下的电极间隙。所述制备方法通过欠曝光来抵消邻近效应的影响，实现尺寸在10nm以下的电极间隙的加工和制备。

【技术实现步骤摘要】
一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法及其产品和用途
本专利技术属于纳米加工
，具体涉及一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法及其产品和用途。
技术介绍
目前，随着晶体管尺寸进入小于7nm节点，硅基集成电路技术正受到制造工艺的种种挑战。电子束光刻中的邻近效应是影响其分辨率的一个重要因素，因此为了实现更高分辨率的图形制备，通常要通过各种手段对邻近效应加以校正，以消除其产生的曝光图形比预期展宽的影响。这里的邻近效应就是电子在抗蚀剂或者衬底散射情况下导致的周围抗蚀剂被曝光引起的。CN104465327A公开了一种纳米对电极及其制备方法。包括：设置衬底并在其上设置抗蚀剂；确定曝光版图，曝光版图具有用于形成纳米对电极的纳米对电极图案，纳米对电极图案由沿一直线延伸的两个长条形部分构成，并且呈轴对称布置；每一长条形部分包括一个长方形和一个三角形，长方形的短边与三角形的一条边重合；两个长条形部分的三角形相互面对；按照曝光版图对抗蚀剂电子束曝光、显影、定影，形成刻蚀凹槽；在具有刻蚀凹槽的衬底上沉积金属，溶解残留的抗蚀剂，得到纳米对电极。该方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法，其特征在于，所述电极的制备方法包括以下步骤：/n(1)将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤，形成电子束抗蚀剂层；设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形；/n(2)按步骤(1)设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光，并经过显影、定影、蒸镀电极，得到尺寸在10nm以下的电极间隙。/n

【技术特征摘要】
20191122 CN 20191115734801.一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法，其特征在于，所述电极的制备方法包括以下步骤：
(1)将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤，形成电子束抗蚀剂层；设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形；
(2)按步骤(1)设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光，并经过显影、定影、蒸镀电极，得到尺寸在10nm以下的电极间隙。


2.根据权利要求1所述的尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述衬底为硅/氧化硅片；
优选地，步骤(1)中所述衬底的氧化层厚度为80-300nm；
优选地，步骤(1)中所述电子束抗蚀剂为聚甲基丙烯酸甲酯；
优选地，所述聚甲基丙烯酸甲酯的重均分子量为40万-100万。


3.根据权利要求1或2所述的尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述旋涂的转速为2000-4500r/min；
优选地，步骤(1)中所述烘烤的温度为170-190℃，所述烘烤的时间为2-60min；
优选地，步骤(1)中所述电子束抗蚀剂层的厚度为50-400nm。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述对顶结构的交叠长度为1-300nm，所述对顶结构的交叠宽度为2-50nm。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的尺寸在10...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭北斗，宫建茹，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11