【技术实现步骤摘要】
在不同组的存储器单元上执行同时存取操作的设备和方法
本公开总体上涉及存储器，并且具体地，在一或多个实施例中，本公开涉及用于在不同组的存储器单元上执行同时存取操作的设备和方法。
技术介绍
存储器(例如，存储器装置)通常被提供作为计算机或其他电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及闪存存储器。闪存存储器已经发展成广泛用于各种电子应用的非易失性存储器的来源。闪存存储器通常使用一个晶体管存储器单元，以实现高存储密度、高可靠性和低功率消耗。通过对电荷存储结构(例如，浮栅或电荷陷阱)进行编程(其通常称为写入)或其他物理现象(例如，相变或极化)而引起的存储器单元的阈值电压(Vt)的变化，决定了每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。闪存存储器和其他非易失性存储器的常见用途包括个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线装置、移动电话以...
【技术保护点】
1.一种操作存储器的方法，其包含：/n在第一组存储器单元上执行具有多个阶段的第一存取操作；/n在执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的特定阶段的同时，接收要在第二组存储器单元上执行具有多个阶段的第二存取操作的命令；/n响应于所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述特定阶段的完成而暂停所述第一存取操作；/n在所述第一存取操作被暂停的同时，在所述第二组存储器单元上执行所述第二存取操作的所述多个阶段中的初始阶段；以及/n响应于所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述初始阶段的完成，在所述第一存取操作的所述多个阶段中的下一个后续阶段恢复所述第一存取操作并且继续到所述第二存取操作的所述多...
【技术特征摘要】
20190627 US 16/454,4611.一种操作存储器的方法，其包含：
在第一组存储器单元上执行具有多个阶段的第一存取操作；
在执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的特定阶段的同时，接收要在第二组存储器单元上执行具有多个阶段的第二存取操作的命令；
响应于所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述特定阶段的完成而暂停所述第一存取操作；
在所述第一存取操作被暂停的同时，在所述第二组存储器单元上执行所述第二存取操作的所述多个阶段中的初始阶段；以及
响应于所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述初始阶段的完成，在所述第一存取操作的所述多个阶段中的下一个后续阶段恢复所述第一存取操作并且继续到所述第二存取操作的所述多个阶段中的下一个后续阶段，以同时执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段和所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段。
2.根据权利要求1所述的方法，其中同时执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段和所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段包含同时执行不同的存取操作的阶段。
3.根据权利要求1所述的方法，其中同时执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段和所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段包含：同时向连接至所述第一组存储器单元的存储器单元的存取线施加第一感测电压和向连接至所述第二组存储器单元的存储器单元的存取线施加第二感测电压，其中所述第一感测电压对应于所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段，并且所述第二感测电压对应于所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
在执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述特定阶段的同时，执行第三存取操作的多个阶段中的特定阶段；
响应于所述第三存取操作的所述多个阶段中的所述特定阶段的完成而暂停所述第三存取操作；以及
在所述第一存取操作和所述第三存取操作被暂停的同时，执行所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述初始阶段。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在执行所述第一存取操作的同时执行所述第三存取操作包含执行不同的存取操作。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一组存储器单元上执行所述第一存取操作和在所述第二组存储器单元上执行所述第二存取操作包含：在存储器单元阵列的第一存储器平面上执行所述第一存取操作，并且在所述存储器单元阵列的第二存储器平面上执行所述第二存取操作。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一组存储器单元上执行所述第一存取操作和在所述第二组存储器单元上执行所述第二存取操作包含：在所述第一组存储器单元上执行第一感测操作和在所述第二组存储器单元上执行第二感测操作。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
在执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段或在执行所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段的同时，接收要在第三组存储器单元上执行具有多个阶段的第三存取操作的命令；
响应于所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段的完成而暂停所述第一存取操作，并且响应于所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段的完成而暂停所述第二存取操作；
在所述第一存取操作和所述第二存取操作被暂停的同时，在所述第三组存储器单元上执行所述第三存取操作的所述多个阶段中的初始阶段；以及
响应于所述第三存取操作的所述多个阶段中的所述初始阶段的完成，在所述第一存取操作的所述多个阶段中的另一个后续阶段恢复所述第一存取操作，在所述第二存取操作的所述多个阶段中的另一个后续阶段恢复所述第二存取操作，并继续到所述第三存取操作的所述多个阶段的中的下一个后续阶段，以同时执行所述第一存取操作的所述多个阶段中的所述另一个后续阶段、所述第二存取操作的所述多个阶段中的所述另一个后续阶段以及所述第三存取操作的所述多个阶段中的所述下一个后续阶段。
9.一种操作存储器的方法，其包含：
对于各自具有相应多个阶段的N个存取操作中的每个存取操作，在多组存储器单元中的相应一组存储器单元上同时执行所述N个存取操作中所述存取操作的所述相应多个阶段中的特定阶段，其中N是大于或等于二的整数值；
确定所述N个存取操作中的任何一个存取操作是否完成了其相应多个阶段中的所述特定阶段；
如果确定所述N个存取操作中的某个存取操作已经完成其相应多个阶段中的所述特定阶段，则：
确定所述N个存取操作中的所有存取操作是否已经完成了其相应多个阶段中的所述特定阶段；
如果确定所述N个存取操作中的任何一个存取操作尚未完成其相应多个阶段中的所述特定阶段，则暂停所述N个存取操作中被确定为已经完成其相应多个阶段中的所述特定阶段的存取操作；
如果确定所述N个存取操作中的所有存取操作均已经完成其相应多个阶段中的所述特定阶段，则：
对于N个存取操作中的每个存取操作，在其相应一组存储器单元上执行其相应多个阶段中的下一个后续阶段。
10.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述N个存取操作中的特定存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段和执行所述N个存取操作中的某个不同存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段包含：执行同一存取操作的不同阶段。
11.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述N个存取操作中的特定存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段和执行所述N个存取操作中的某个不同存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段包含：执行不同存取操作的阶段。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，对于所述N个存取操作中的每个存取操作，执行所述N个存取操作中的所述存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段包含：向所述N个存取操作中的所述存取操作的所述相应一组存储器单元的存取线施加相应感测电压，其中针对所述N个存取操作中的所述存取操作的所述相应感测电压对应于所述N个存取操作中的所述存取操作的所述特定阶段。
13.根据权利要求9所述的方法，其中针对所述N个存取操作中的特定存取操作施加所述相应感测电压包含：针对所述N个存取操作中的不同存取操作施加与所述相应感测电压不同的电压电平。
14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含：
在针对所述N个存取操作中的每个存取操作执行所述相应多个阶段中的所述特定阶段的同时，在另一组存储器单元上执行另一个存取操作的相应多个阶段中的最后阶段；
确定所述另一个存取操作是否完成；以及
仅在确定所述N个存取操作中的所有存取操作均已经完成其相应多个阶段中的所述特定阶段以及确定所述另一个存取操作已经完成之后，才执行所述N个存取操作中的任何一个存取操作的所述相应多个阶段中的所述下一个后续阶段。
15.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述N个存取操作中的特定存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段包含执行从以下感测操作组成的群组中选择的感测操作的阶段：用于确定存储器单元的数据值的下页面LP数据的感测操作，以及用于确定所述存储器单元的所述数据值的上页面UP数据的感测操作。
16.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述N个存取操作中的特定存取操作的所述相应多个阶段中的所述特定阶段包含执行从以下感测操作组成的群组中选择的感测操作的...
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